Numéro d'identification : WO/2007/074228 (Lien OMPI et fichier PDF associé)Numéro d'identification CEA BDAnnée de dépôt : 18-12-2005Date de publication : 05-07-2007
Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée
La présente invention concerne un substrat semi-conducteur à gap indirect, supérieur au gap du silicium, préférentiellement supérieur à 1,5 eV, son utilisation pour imager un échantillon par microscopie à effet tunnel en émission de photons, ainsi qu'un procédé d'imagerie à effet tunnel en émission de photons utilisant un tel substrat semi-conducteur à gap indirect.