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Paris-Saclay
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Univ. Paris-Saclay

Brevets 2008

18 décembre 2008
J.P. Bourgoin , M. Goffman, V. Derycke et N. Chimot

Numéro d'identification : WO 2008/152281 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 31-05-2007
Date de publication : 18-12-2008

Transistor a effet de champ à nanotubes de carbone  

La présente invention concerne un transistor à effet de champ flexible à base de nanotubes et son procédé de fabrication. Selon l'invention, Le transistor (1 ) à effet de champ comporte deux électrodes (3, 4, 5) de contact (drain et source), une zone de conduction électrique connectée aux électrodes de contact comportant plusieurs nanotubes de carbone mono-paroi (13) alignés, une électrode de grille (6, 7) pour le contrôle du courant électrique circulant dans la zone de conduction et un substrat flexible (2) sur lequel sont déposées les électrodes de contact et de grille (3, 4, 5, 6, 7). La densité de nanotubes dans la zone de conduction est supérieure à 10 nanotubes par micron.


Field effect transistor with carbon nanotubes
(WIPO link)

The invention relates to a flexible field-effect transistor with nanotubes, and to a method for making the same. The field-effect transistor of the invention includes at least two resupectively drain and source contact electrodes (3, 4, 5), an electric conduction area connected to the contact electrodes, said area including a plurality of substantially aligned single-wall carbon nanotubes (13), a gate electrode (6, 7) for controlling the electric current flowing in said area and a flexible substrate (2) on which the contact and grid electrodes (3, 4, 5, 6, 7) are deposited. The density of the nanotubes in the conduction area is strictly higher than 10 nanotubes per micron.

Contact: J.P. Bourgoin

11 décembre 2008
TT Tran-Thi, L. Lecagneux et P. Banet

Numéro d'identification: WO/2008/148987 (Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD 10088
Année de dépôt : 04-05-2007
Année de publication : 11-12-2008

Procédé de détection de composés gazeux halogénés

Procédé de détection d'un composé gazeux de type BX3, HX ou X2 au sein d'un gaz à l'aide d'une composition contenant une molécule sonde, caractérisé en ce que la molécule sonde est une molécule dont la réaction avec un ou plusieurs composés de type BX3, HX ou X2 entraîne une variation d'au moins une de ses propriétés physico-chimiques cette variation étant mesurable par une technique d'analyse appropriée, et en ce que l'on effectue dans cet ordre les étapes suivantes : (a) mesure de ladite propriété physico-chimique de la molécule sonde, telle qu'une propriété spectrale, (b) mise en contact du gaz avec la composition contenant la molécule sonde de l'étape (a), (c) nouvelle mesure de ladite propriété physico-chimique. (d) corrélation de la variation de ladite propriété spectrale entre les étapes (a) et (c) à la présence dudit composé gazeux de type BX3, HX ou X2, la mesure de la propriété physico-chimique de l'étape (a) pouvant être une étape préalable, procédé de piégeage de composés gazeux de type BX3, HX ou X2 contenus dans un gaz, matériau apte à réagir avec au moins un composé de type BX3, HX ou X2 sous forme gazeuse et capteur pour composés de type BX3, HX ou X2.

 


Process for detecting gaseous halogenated compounds
(Lien WIPO)

 

Process for detecting a gaseous compound of BX3, HX or X2 type within a gas using a composition containing a probe molecule, characterized in that the probe molecule is a molecule for which the reaction with one or more compounds of BX3, HX or X2 type leads to a variation of at least one of its physicochemical properties, this variation being measurable via a suitable analysis technique, and in that the following steps are carried out in this order: (a) measurement of said physicochemical property of the probe molecule, such as a spectral property, (b) bringing the gas into contact with the composition containing the probe molecule from step (a), (c) repeat measurement of said physicochemical property, (d) correlation of the variation of said spectral property between steps (a) and (c) in the presence of said gaseous compound of BX3, HX or X2 type, wherein the measurement of the physicochemical property from step (a) is possibly a prior step, process for trapping gaseous compounds of BX3, HX or X2 type contained in a gas, material capable of reacting with at least one compound of BX3, HX or X2 type in gaseous form and sensor for compounds of BX3, HX or X2 type.

Contact: TT Tran-Thi

 

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