| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST| Contact | English
Univ. Paris-Saclay

Brevets 2011

28 septembre 2011
O. Klein, G. De Loubens et B. Pigeau

Numéro d’identification : WO/2010/122126 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD                      
Année de dépôt : 23.04.2009
Date de publication : 28.10.2010

Dispositif de stockage à tourbillon magnétique

L’invention concerne un dispositif de stockage magnétique (1) comprenant un réseau de cellules magnétiques planaires (4) à l'état de tourbillon, chacun des noyaux de tourbillon des cellules présentant une magnétisation avec soit une première soit une seconde position d'équilibre suivant des directions opposées et perpendiculaires au plan cellulaire (4), chacune des deux positions représentent des informations binaires. Le dispositif (1) comprend des moyens (5, 8a, 8b, 3) permettant d'écrire des informations binaires stockées dans les cellules, comprenant des moyens pour appliquer de manière sélective, à proximité de chaque cellule (4), un premier champ magnétique statique de polarisation grossièrement perpendiculaire audit plan cellulaire (4) et un champ magnétique à fréquence radio polarisé de manière linéaire grossièrement parallèle audit dispositif (4). Le dispositif décrit comprend également des moyens pour lire, de préférence par résonance, la polarité en utilisant une mesure de transport sélective entre les électrodes se coupant (6) et (9) en guidant les lignes de courant à travers la région autour du noyau du tourbillon au moyen contact de point (7).


Magnetic vortex storage device (WIPO link)

This invention relates to a magnetic storage device (1) comprising a network of planar magnetic cells (4) in a vortex state, each cell's vortex core having a magnetization with either a first and second equilibrium position in opposite direction and perpendicular to the cellular (4) plane, each of the two positions representing binary information. The device (1) comprises means (5, 8a, 8b, 3) for writing binary information stored in the cells, including means for selectively applying, in the vicinity of each cell (4), a first bias static magnetic field roughly perpendicular to the said cellular (4) plane and a linearly polarized radio frequency magnetic field roughly parallel to said device (4). The described device also comprises means for reading preferably resonantly the polarity using a selective transport measurement between two intersecting electrodes (6) and (9) by guiding the current lines through the region around the vortex core by means of a point contact (7).

Contact :  O. Klein.

23 septembre 2011
Z. Weisheng, C. Camrat, G. Agnus, V. Derycke et J.P. Bourgoin

Numéro d’identification : WO/2010/106116 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD
Année de dépôt : 17-03-2010
Date de publication : 23.09.2010

Circuit de réseau neuronal comprenant des nano synapses et des neurones CMOS

L'invention concerne un circuit de réseau neuronal comprenant des nano dispositifs (411-415, 421-425) jouant le rôle de synapses et des circuits CMOS (201, 202) jouant le rôle de neurones. Elle trouve une application toute particulière dans les circuits et systèmes de calcul faisant appel à des fonctions complexes ou traitant d'énormes quantités de données. Comparée à l'état de la technique, cette architecture promet une faible surface occupée, des vitesses élevées dues à un apprentissage hyperparallèle et une faible consommation. Les nano dispositifs (411-415, 421-425) comprennent deux bornes et sont reliés à des conducteurs en ligne (221, 222) et à des conducteurs en colonne (231-235) à la manière d'une matrice. Un circuit CMOS (201, 202) est relié à une extrémité de chaque conducteur en ligne (221, 222). Une caractéristique électrique entre les deux bornes de chaque nano dispositif (411-415, 421-425) est susceptible d'être modifiée par un signal appliqué à la deuxième borne. Le circuit de réseau neuronal comprend en outre, pour chaque conducteur en ligne (221, 222), des moyens (401, 402) conçus pour empêcher la modification des caractéristiques électriques des nano dispositifs (411-415, 421-425) reliés au conducteur en ligne (221, 222) correspondant par un signal appliqué à la deuxième borne de ces nano dispositifs.


Neural network circuit comprising nanoscale synapses and cmos neurons (WIPO link)

The invention relates to a neural network circuit comprising nanoscale devices (411-415, 421-425) acting as synapses and CMOS circuits (201, 202) acting as neurons. It finds a particular interest for computing circuits and systems involving complex functions or handling of huge amounts of data. Comparing with the existing proposals, this architecture promises small die area, high speed thanks to massively parallel learning and low power. The nanoscale devices (411-415, 421-425) comprise two terminals and are connected to row conductors (221, 222) and to column conductors (231-235) in a matrix-like fashion. A CMOS circuit (201, 202) is connected at one end of each row conductor (221, 222). An electrical characteristic between the two terminals of each nanoscale device (411-415, 421-425) is able to be modified by a signal applied to the second terminal. The neural network further comprises, for each row conductor (221, 222), means (401, 402) for preventing the electrical characteristics of the nanoscale devices (411-415, 421-425) connected to the considered row conductor (221, 222) from being modified by a signal applied to the second terminal of said nanoscale devices.

Contact: V. Derycke

02 février 2011
S. Crunaire et T.H. Tran-thi

Numéro d'identification : WO 2010/004225 (Lien OMPI)

Numéro d'identification CEA : BD

Année de dépôt : 11.07.2008

Année de publication : 14.01.2010

Détecteurs nanoporeux de composés aromatiques monocycliques et autres polluants

Matériau sol-gel poreux essentiellement constitué d'unités d'un ou plusieurs premier(s) polyalcoxysilane(s) choisi(s) parmi les composés suivants : le (chlorométhyl)triéthoxysilane; le 1,3- diméthyltetraméthoxydisiloxane; l'éthyltriméthoxysilane; le triéthoxy(éthyl)silane; le triéthoxyméthylsilane; le triéthoxy(vinyl)silane; le triméthoxyméthylsilane; le triméthoxy(vinyl)silane; le tétraéthoxysilane ou le tétraméthoxysilane (TMOS) et d'unités d'un ou plusieurs second(s) polyalcoxysilane(s) choisi(s) parmi les composés suivants: le (N-(3-(triméthoxysilyl)propyl)éthylènediamine; le 3- aminopropyltriéthoxysilane (APTES) et le 3-aminopropyltriméthoxysilane, dans un rapport molaire premier(s) polyalcoxysilane(s)/ second(s) polyalcoxysilane(s) de 1 /0,01 à 1 /1, comprenant éventuellement une molécule sonde, procédé de préparation et applications dans le piégeage d'hydrocarbures aromatiques monocycliques ainsi que d'autres polluants ou dans leur détection


Nanoporous detectors of monocyclic aromatic compounds and other pollutants (WIPO link)

Porous sol-gel material essentially consisting of units of one or more first polyalkoxysilanes chosen from the following compounds: (chloro­methyl)triethoxysilane; 1,3-dimethyltetramethoxydisiloxane; ethyltri­methoxysilane; triethoxy(ethyl)silane; triethoxymethylsilane; triethoxy­(vinyl)silane; trimethoxymethylsilane; trimethoxy(vinyl)silane; tetra­ethoxysilane or tetramethoxysilane (TMOS) and of units of one or more second polyalkoxysilanes chosen from the following compounds: (N‑(3-(trimethoxysilyl) propyl)-ethylenediamine; 3‑aminopropyl-triethoxysilane (APTES) and 3-aminopropyl-trimethoxysilane, in a first polyalkoxy­silane/second polyalkoxysilane molar ratio of 1/0.01 to 1/1, optionally comprising a probe molecule, method of preparation and applications in the trapping of monocyclic aromatic hydrocarbons and other pollutants or in their detection.

Contact: T.H. Tran-thi.

 

Retour en haut