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Univ. Paris-Saclay

Brevets 2004

12 septembre 2004

Numéro d'enregistrement international : WO/2004/06815 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1469
Date de dépôt-Priorité 13.01.2003

Année de publication: 12-09-2004

Dispositif permettant de de détecter un champ magnétique

La présente invention concerne un dispositif permettant de détecter un champ magnétique, qui comprend une boucle de détection supraconductrice fermée (1) comportant une largeur de trajectoire (d) gravée dans un film supraconducteur mince à couche unique qui présente un étranglement (15) dont la largeur est d'une dimension étroite plus petite que la largeur de trajectoire (d). La boucle de détection supraconductrice fermée (1) constitue un transformateur flux-champ (FFDT). Au moins un élément magnétorésistif (2) est placé au-dessus ou en-dessous du film mince supraconducteur, lequel élément magnétorésistif (2) est isolé du film mince supraconducteur par une fine couche isolante, et est placé de telle manière qu'une partie active de l'élément magnétorésistif (2) se trouve à l'emplacement de l'étranglement (15) et que ladite partie possède une largeur inférieure ou égale à celle de l'étranglement (15). La partie active de l'élément magnétorésistif (2) est orientée de telle manière que le courant de polarisation dans cette partie active est dirigé essentiellement le long de l'étranglement (15), perpendiculairement à la largeur de dimension étroite.

 


Device for sensing a magnetic field (lien WIPO)

 

The device for sensing a magnetic field comprises a closed superconducting pick-up loop (1) having a path width (d) etched out of a single layer superconducting thin film and provided with a constriction (15) having a width (w) of narrow dimension smaller than the path width (d). The closed superconducting pick-up loop (1) constitutes a flux-to-field transformer (FFDT). At least one magnetoresistive element (2) is placed on top of or below the superconducting thin film, is isolated from the superconducting thin film by a thin insulating layer and is located so that an active part of the magnetoresistive element (2) is at the location of the constriction (15) and has a width equal to or less than the width of the constriction (15). The active part of the magnetoresistive element (2) is oriented so that the bias current in this active part is directed essentially along the constriction (15), orthogonally to the width of narrow dimension.

Fichier PDF associé 

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

12 août 2004

Numéro d'identification : WO/2004/068152 (Lien OMPI, fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD 1468
Année de dépôt : 31-01-2003

Année de publication: 12-08-2004

 

Dispositif de détection de champ rf

L'invention concerne un dispositif de détection d'un champ RF. Le dispositif comprend une boucle de réception de flux (1) comprenant un chemin circonférentiel présentant une largeur de chemin définie (d), la boucle de réception de flux (1) présentant une partie (10) qui transforme le flux magnétique circulant dans la boucle de réception de flux (1) en un champ magnétique élevé. La partie (10) comprend une constriction de la boucle de réception de flux (1) qui concentre les lignes de courant dans le chemin circonférentiel afin de définir un transformateur de courant en champ. Au moins un transducteur de champ magnétique à très faible bruit (12) est situé à une distance très proche de la constriction.

 


Device for sensing RF field
(Lien WIPO, PDF file)

 

The device for sensing a RF field comprises a flux-receiving loop (1) including a circumferential path having a defined path width (d), the flux-receiving loop (1) having a portion (10) that transforms the magnetic flux flowing through the flux receiving loop (1) into a high magnetic field. The portion (10) comprises a constriction of the flux-receiving loop (1) that concentrates the current lines in the circumferential path to define a current-field transformer. At least one very low noise magnetic field transducer (12) is located at a very close distance from the constriction.

Contact: C. Fermon et M. Pannetier-Lecoeur

13 mai 2004
M. Bailleul et C. Fermon

Numéro d'identification : WO/2004/040756 (lien OMPI, PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD 1467
Date de dépôt 28-10-2002

Année de publication: 13-05-2004

Dispositif à ondes magnétostatiques basé sur des films minces métalliques, procédé de fabrication et application à des dispositfs de traitement de signaux hyperfréquences

Le dispositif intégré à ondes magnétostatiques comprend un substrat, un film mince ferromagnétique conducteur disposé sur le substrat, une première antenne transductrice de réception de signaux électriques hyperfréquences, disposée parallèlement audit film mince ferromagnétique à proximité de celui-ci pour créer dans ce matériau, par couplage inductif, des ondes magnétostatiques ou des ondes de spin, et une deuxième antenne transductrice d'émission de signaux électriques hyperfréquences, disposée parallèlement audit film mince ferromagnétique à proximité de celui-ci pour être couplée inductivement et délivrer des signaux électriques hyperfréquences lors de l'arrivée d'une onde magnétostatique dans le film mince ferromagnétique, lad deuxième antenne étant située du même côté du film mince ferromagnétique que la première antenne de façon essentiellement coplanaire à cette dernière.

 


Magnetostatic wave device based on thin metal films, method for making same and application to devices for processing microwave signals
(
lien WIPO)

 

The invention concerns an integrated magnetostatic wave device comprising a substrate, a conductive ferromagnetic thin film arranged on the substrate, a first transducer antenna for receiving microwave electric signals, arranged parallel to said ferromagnetic thin film proximate thereto to generate in said material, through inductive coupling, magnetostatic waves or spin waves, and a second transducer antenna for transmitting microwave electric signals, arranged parallel to said ferromagnetic thin film proximate thereto to be inductively coupled and deliver microwave electric signals when a magnetostatic wave reaches the ferromagnetic thin film said second antenna being located on the same side of the ferromagnetic thin film as the first antenna substantially coplanar thereto.

Contact: C. Fermon

19 septembre 2004
J.F. Dozol, M. Schmidt, P. Wang et V. Böhmer

Numéro d'identification : WO/2004/076509 (Lien OMPI et fichier Pdf associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 26-02-2003
Date de publication : 10-09-2004

Dendrimères phosphorés : procédé de préparation et utilisation pour l'extraction des actinides et des lanthanides

L'invention concerne de nouveaux dendrimères phosphorés comportant un coeur, au moins une génération et une couche externe constituée, en tout ou partie, de motif. Ces motifs répondent à la formule (I) suivante dans laquelle R1 et R2 sont des groupes alkyle, alcoxy ou aryle. Ces dendrimères sont utiles pour extraire les actinides et les lanthanides à partir de solutions aqueuses les contenant.

 


Phosphorous dendrimers, preparation method thereof and use of same for the extraction of actinides and lanthanides
(WIPO link)

 

The invention relates to novel phosphorous dendrimers comprising a core, at least one generation and an outer layer. These motifs have for formula (I), wherein: R1 and R2  represent alkyl, alkoxy or aryl groups. The dendrimers can be used to extract actinides and lanthanides from aqueous solutions containing same.

Contact:  M. Schmidt

02 septembre 2004
P. Viel, C. Bureau et S. Ameur

Numéro d'identification : WO/2004/074537 (Lien OMPI, fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1451
Année de dépôt : 17-02-2003
Date de publication : 02-09-2004

Procédé de revêtement de surfaces

L'invention concerne le dépôt ou la fixation de matériaux sur des surfaces. Elle se rapporte à un procédé de revêtement d'une surface par deux matériaux successifs comprenant les étapes suivantes :

  • disposer sur la surface le premier matériau, dans lequel sont insérées des molécules précurseurs du deuxième matériau,
  • transformer ces molécules précurseurs en deuxième matériau de manière à ce que ce deuxième matériau se forme sur la surface à revêtir ainsi qu'au sein du premier matériau.

Le procédé de l'invention a pour objectif de permettre le dépôt de tout type de matériaux sur tout type de surfaces.

 



Surface-coating method(Lien WIPO)

 

 The invention relates to a method of depositing or fixing materials to surfaces. More specifically, the invention relates to a method of coating a surface with first and second materials, comprising the following steps consisting in: depositing a first material on the surface; inserting precursor molecules of a second material into the first material deposited on the surface; and transforming the aforementioned precursor molecules of the second material into the second material, such that said second material forms on the surface to be coated and inside the first material deposited thereon. The inventive method can be used to deposit any type of material on any type of surface.

Contact: P. Viel

17 février 2004
M. Dubois et T. Zemb

Numéro de publication: FR2866246
Numéro d'identification CEA : BD1484

Date de dépôt: 17-02-0224

Membranes catanioniques cristallisées, stabilisées par des polymères. Leur procédé de préparation et applications

La présente invention est relative à des membranes catanioniques cristallisées stabilisées par des polymères, à leur procédé de préparation et à leurs utilisations, notamment à titre de médicament pour la vectorisation d'espèces actives ou pour la rétention par adsorption de molécules volatiles.


Polymer-stabilised, crystallised, catanionic membranes, preparation method thereof and applications of same

Catanionic membrane in the form of an organized solid bilayer comprising a lateral alternation of cocrystallized anionic surfactants with hydrogen counterions and cationic surfactants with hydroxyl counterions is stabilized by adsorption of a polymer that is partially hydrophobic or has an overall negative charge. The anionic/cationic surfactant molar ratio is greater than 1.

Fichier PDF associé

02 janvier 2004
T.Thanh-Toan et T.H. Tran-thi

Numéro d'identification : WO/2003/104517 (Lien OMPI, Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA: BD 1409
Année de dépôt : 11-06-2002
Année de publication : 02-01-2004

Procédé et dispositif d'incorporation d'un composé dans les pores d'un matériau poreux et leurs utilisations

 L'invention se rapporte à un procédé et à un dispositif d'incorporation d'un composé dans les pores d'un matériau poreux choisi parmi les matériaux microporeux et mésoporeux obtenus par le procédé sol-gel, ainsi qu'aux utilisations de ce procédé et de ce dispositif. Le procédé comprend la vaporisation ou la sublimation du composé dans une enceinte contenant le matériau poreux. Utilisations : dopage de matériaux microporeux et mésoporeux obtenus par le procédé sol-gel et, en particulier, de matériaux mésoporeux aux tensioactifs structurants, pour la fabrication de capteurs et multicapteurs chimiques, de tamis moléculaires, de membranes sélectives pour la filtration, de phases stationnaires pour la chromatographie, de matériaux optiques ou optoélectroniques.

 


Method and device for incorporating a compound in the pores of a porous material and uses thereof

 

 The invention concerns a method and device for incorporating a compound in the pores of a porous material selected among microporous and mesoporous materials obtained by sol-gel process, as well as the uses of said method and said device. The method comprises vaporization or sublimation of the compound in a chamber containing the porous material. The invention is useful for doping microporous or mesoporous materials obtained by sol-gel process and, in particular, materials mesoporous relative to structuring surfactants, for making chemical sensors and multisensors, molecular sieves, selective filtering membranes, stationary phases for chromatography, optical or optoelectronic materials.

 Contact: T.H. Tran-thi

02 janvier 2004
T.Thanh-Toan et T.H. Tran-thi

Numéro d'identification : WO/2003/104517 (Lien OMPI, Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA: BD 1409
Année de dépôt : 11-06-2002
Année de publication : 02-01-2004

Procédé et dispositif d'incorporation d'un composé dans les pores d'un matériau poreux et leurs utilisations

 L'invention se rapporte à un procédé et à un dispositif d'incorporation d'un composé dans les pores d'un matériau poreux choisi parmi les matériaux microporeux et mésoporeux obtenus par le procédé sol-gel, ainsi qu'aux utilisations de ce procédé et de ce dispositif. Le procédé comprend la vaporisation ou la sublimation du composé dans une enceinte contenant le matériau poreux. Utilisations : dopage de matériaux microporeux et mésoporeux obtenus par le procédé sol-gel et, en particulier, de matériaux mésoporeux aux tensioactifs structurants, pour la fabrication de capteurs et multicapteurs chimiques, de tamis moléculaires, de membranes sélectives pour la filtration, de phases stationnaires pour la chromatographie, de matériaux optiques ou optoélectroniques.

 


Method and device for incorporating a compound in the pores of a porous material and uses thereof

 

 The invention concerns a method and device for incorporating a compound in the pores of a porous material selected among microporous and mesoporous materials obtained by sol-gel process, as well as the uses of said method and said device. The method comprises vaporization or sublimation of the compound in a chamber containing the porous material. The invention is useful for doping microporous or mesoporous materials obtained by sol-gel process and, in particular, materials mesoporous relative to structuring surfactants, for making chemical sensors and multisensors, molecular sieves, selective filtering membranes, stationary phases for chromatography, optical or optoelectronic materials.

 Contact: T.H. Tran-thi

 

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