Propriétés de transport électronique de films ultra-minces de graphite épitaxiés sur SiC

Le 1 juin 2006
Types d’événements
Séminaire SPCSI
Cécile NAUD
SPEC Bât 466 p.111 (1er ét.)
Configuration de la salle en séminaire ou réunion
30 places
Vidéo Projecteur
Le 01/06/2006
de 11h00
Les films ultra-minces de graphite obtenus par croissance en surface de substrat de SiC sont un système électronique bidimensionnel prometteur. La croissance de ces films est obtenue par recuit d une surface (0001) de SiC. La qualité cristallographique de la surface est contrôlée par les techniques de LEED, spectroscopie Auger et microscopie par effet tunnel.
Une fois contrôlées, des motifs adaptés à l étude du transport (de type croix de Hall) sont gravés en utilisant des techniques de micro-fabrication standards (lithographie, gravure plasma).
Après une introduction aux propriétés de transport des systèmes bidimensionnels, je présenterais les mesures faites sur les échantillons de graphite ultra-mince sous champ magnétique à très basse température. Nous observons des oscillations de la magnétorésistance qui sont des oscillations Shubnikov-de-Haas. L’étude de leur amplitude indique des effets de confinement des électrons. Enfin, je montrerai que ce système est caractérisé par une grande cohérence de phase c’est-à-dire que les électrons peuvent se propager sur de grandes distances (autour du micron à 4K) sans collisions inélastiques.

Laboratoire d’Étude des Propriétés Électroniques des Solides (LEPES), Grenoble