Des expériences récentes de croissance cristalline en épitaxie par jet moléculaire sur une surface de silicium (001) ont montré l’existence d’une instabilité de mise en paquets de marches et la formation de structures transverses. Dans mon exposé, je présenterai des résultats théoriques concernant la dynamique d’un train de marches en croissance. Je présenterai un mécanisme pouvant conduire à une instabilité de mise en paquet des marches sur Si (001) (Frisch et Verga, PRL 94, 2005). Ensuite, je proposerai un mécanisme d’instabilité de méandrage bi-dimensionnel induit par l’anisotropie de diffusion sur les terrasses (Frisch et Verga, PRL 96 (2006)). J’illustrerai le développement faiblement non-linéaire de cette instabilité de méandrage au moyen d’une équation d’amplitude. Pour conclure, j’exposerai une analogie entre cette instabilité de méandrage et l’instabilité de Bales et Zangwill.
Institut de Recherche sur les Phénomènes Hors Équilibre, CNRS et Université de Provence, Marseille