Newsletter du projet européen 3eFERRO : Mémoire et logique non-volatiles embarquées basées sur des circuits ferroélectriques Newsletter of the European project 3eFERRO: On-board non-volatile memory and logic based on ferroelectric circuits

3^rd News Letter Projet projet européen 3eFERRO.
Cette 3^ème newsletter présente les récentes avancées du projet européen « Information and Communication Technologies – ICT » 3eFERRO, selon 3 des axes du projet :

• Un travail sur l’interface HfO₂/TiN, publié dans Applied Physics Letters,
• L’intégration de capacités ferroélectriques NZO avec d’excellentes performances,
• La conception de nouvelles cellules logiques non volatiles basées sur des transistors ferroécletriques.

Le projet européen 3eFERRO introduit un nouveau matériau ferroélectrique (Hf(Zr)O₂) pour créer des cellules de mémoires FeRAM compétitives dans le contexte de « l’Internet des Objets ». Ce projet vise également l’exploration des concepts de calcul en mémoire non-volatile basés sur des cellules FeRAM et FeFET. Il regroupe 8 partenaires de 5 pays différents de l’UE, parmi lesquels le CEA, ST Microelectronics et NaMLab (leader dans le domaine des circuits ferroélectriques HfO₂).

Contact : Nick Barrett, SPEC/LENSIS.