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Newsletter du projet européen 3eFERRO : Mémoire et logique non-volatiles embarquées basées sur des circuits ferroélectriques
Newsletter of the European project 3eFERRO: On-board non-volatile memory and logic based on ferroelectric circuits  

img3rd News Letter Projet projet européen 3eFERRO.
Cette 3ème newsletter présente les récentes avancées du projet européen "Information and Communication Technologies - ICT" 3eFERRO, selon 3 des axes du projet :

  • Un travail sur l’interface HfO2/TiN, publié dans Applied Physics Letters,
  • L’intégration de capacités ferroélectriques NZO avec d’excellentes performances,
  • La conception de nouvelles cellules logiques non volatiles basées sur des transistors ferroécletriques.

Le projet européen 3eFERRO introduit un nouveau matériau ferroélectrique (Hf(Zr)O2) pour créer des cellules de mémoires FeRAM compétitives dans le contexte de "l’Internet des Objets". Ce projet vise également l’exploration des concepts de calcul en mémoire non-volatile basés sur des cellules FeRAM et FeFET. Il regroupe 8 partenaires de 5 pays différents de l’UE, parmi lesquels le CEA, ST Microelectronics et NaMLab (leader dans le domaine des circuits ferroélectriques HfO2).

Contact : Nick Barrett, SPEC/LENSIS.

M. Cavrois-desmier, 2020-09-01 14:52:00

 

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