Dépôts, croissance, films minces
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Dépôts, croissance, films minces

Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Les nanotechnologies requièrent de réaliser des édifices complexes à l'échelle atomique. Ceux-ci sont généralement réalisées par dépôts sur un substrat (métal ou oxyde). La maîtrise des phénomènes physiques de la croissance et de la réalisation de plots ou de films minces de structure bien définie est une des clés de la réalisation de nouveaux dispositifs aux propriétés nouvelles. Les équipes de l'IRAMIS utilisent largement les différentes techniques de dépôt, de contrôle de la croissance et d'analyses et contribuent à les développer.

 
#124 - Màj : 07/08/2018
Technique (desc. gen.)
La technique de l'épitaxie par jets moléculaires ou MBE en anglais (Molecular Beam Epitaxy) a été développée initialement pour la croissance cristalline des semi-conducteurs. Il s'agit d'une technologie ultra-vide (P < 10-6 mbar) basée sur l'évaporation séquentielle des constituants élémentaires placés dans des cellules à effusion de Knudsen.
A femto-second pulsed laser deposition setup for the epitaxial growth of oxides
PROJECT: "CALPHOSPIN" 2013-2016 Coordinator: CEA-Saclay, DSM/IRAMIS/SPEC/LNO (M. Viret, J.-B. Moussy, J.-Y. Chauleau, D. Colson) Partners: LPS Université Paris-Sud, UMR CNRS-Thalès and SOLEIL Funds: Région Ile de France - Réseau Francilien sur les Oxydes Fonctionnels (OxyMORE) OBJECTIVES: To acquire a femto-second Pulsed Laser Deposition (PLD) setup for the epitaxial growth of oxide thin films (magnetics, multiferroics, topological insulators...
Voir aussi
La magnétite (Fe3O4) est un des seuls matériaux demi-métalliques (conducteur pour un état de spin et isolant pour l'autre) à présenter une température de Curie (Tc= 860 K) très au-dessus de la température ambiante. A ce titre, cet oxyde ferrimagnétique constitue un matériau de choix pour les composants de l’électronique de spin.
The generation of highly spin-polarized electron currents is one of the dominant focusses in the field of spintronics. For this purpose, spin filtering is one very interesting phenomenon, both from a fundamental and from a technological standpoint, that involves the spin-selective transport of electrons across a magnetic tunnel barrier.
DSM/DRECAM/SPCSI - Oxides group
Spin electronics is a new field of research which associates two domains of physics: magnetism and electronics. In the last decade, effects related to spin dependent transport like giant magnetoresistance (GMR) and tunnelling magnetoresistance (TMR) in magnetic heterostructures have stimulated a considerable interest. These physical properties can be exploited in a variety of advanced devices such as highly sensitive magnetic sensors (e.g.
Faits marquants scientifiques
26 mars 2008
L. Liszkay1, C. Corbel1, P. Perez1, P. Desgardin2, M.-F. Barthe2, T. Ohdaira3, R. Suzuki3, P. Crivelli4, U. Gendotti4, A. Rubbia4, M. Etienne5, and A.
14 novembre 2005
M. Pinault1, M. Mayne-L'Hermite1, C. Reynaud1 ,H. Khodja2 ,V. Pichot3 , P. Launois3
1CEA Saclay - DSM/IRAMIS/Service des Photons, Atomes et Molécules - Laboratoire Francis Perrin 2CEA Saclay - DSM/IRAMIS/Laboratoire Pierre Sue 3Laboratoire de Physique des Solides, CNRS UMR 8502, Univ. Paris Sud, 91405 Orsay

 

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