Procédé de greffage de film mince polymérique sur substrat et procédé de métallisation de ce film mince
L’invention a pour objet un procédé non électrochimique de greffage, par voie radicalaire, d'un polymère sur un substrat solide, organique ou inorganique et isolant, conducteur de l'électricité, ou semi-conducteur de l'électricité, lequel procédé comprend – la mise en contact dudit substrat avec le polymère en solution par une immersion – émersion, une enduction par contact, ou une enduction par projection, et – un traitement thermique du substrat recouvert de polymère obtenu à l'étape précédente à une température comprise entre 70 et 450 °C; ledit polymère n'étant pas un polymère à base d'acide acrylique. L'invention concerne également un procédé de métallisation du substrat solide organique ou inorganique revêtu par le film de polymère, laquelle métallisation peut être réalisée par voie sèche ou humide. Ce procédé trouve particulièrement application dans la métallisation de vias traversants pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
Contact : P. Viel, NIMBE/LICSEN
Process for grafting a polymeric thin film onto a substrate and process for metallizing this thin film (WIPO link)
One subject of the present invention is a non-electrochemical process for radical grafting of a polymer to a solid, organic or inorganic and insulating, electrically conductive or electrically semiconductive substrate, which process comprises – bringing said substrate into contact with the polymer in solution via an immersion-emersion, a contact coating, or a spray coating, and – heat treating the polymer-covered substrate obtained in the preceding step at a temperature between 70°C and 450°C; said polymer not being a polymer based on acrylic acid. The invention also relates to a process for metallizing the solid, organic or inorganic substrate coated by the polymer film, which metallizing may be carried out via a dry or wet route. This process particularly finds an application in the metallization of through vias for the manufacture of semiconductor devices.
Contact: P. Viel, NIMBE/LICSEN
