Mesures de transport
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L'origine d'un phénomène de transport est l'application d'une force dont l'origine peut être variée (champ électrique ou magnétique, gradient de concentration, de pression etc ...)
Sous la rubrique "mesures de transport" sont rassemblées différentes techniques de mesures associées qui peuvent être des mesures de flux (chaleur, particules, charges : courant électrique, etc ...), ou des méthodes statistiques.

 
#349 - Màj : 12/09/2006
Technique (desc. gen.)
Cet appareil de la Société Quantum Design permet de mesurer les propriétés de transport électrique sous champ magnétique (R(T); R(H,T)) entre [-7 teslas; +7 teslas] de monocristaux, films minces ou multicouches magnétiques dans la gamme de température [1.9 K ; 400 K]. Spécificités de l'appareil de magnéto-transport: - un aimant longitudinal de 7 teslas.
L'étude du  couplage magnétoélectrique dans les pyrochlores (et dans d'autres sytèmes tels que les multiferroïques) nécessite de mesurer la capacitance du système en fonction de la température et en présence d'un champ magnétique appliqué.
Voir aussi
N. Katsonis, A. Marchenko, D. Fichou
Among the many types of liquid crystals (LCs), planar disk-like molecules such as triphenylenes are known to exhibit columnar mesophases. An example of such compounds are 2,3,6,7,10,11-hexakis-alkoxy-substituted triphenylenes, hereafter noted Tn where n indicates the number of carbon atoms in the alkyl chains. Tn molecules consist in flat polyaromatic cores symmetrically surrounded by flexible n-carbon side chains (Figure 1).
Fe3O4 is a very attractive material for applications involving spin-dependent transport at room temperature as this ferromagnetic oxide has a high Curie temperature (Tc= 858 K) and is predicted to be half-metallic. However, the potential applications of Fe3O4 layers in devices relies on the assumption that the magnetic and transport properties in the thin films are similar to those in the bulk material.
DSM/DRECAM/SPCSI - Oxides group
Spin electronics is a new field of research which associates two domains of physics: magnetism and electronics. In the last decade, effects related to spin dependent transport like giant magnetoresistance (GMR) and tunnelling magnetoresistance (TMR) in magnetic heterostructures have stimulated a considerable interest. These physical properties can be exploited in a variety of advanced devices such as highly sensitive magnetic sensors (e.g.
Faits marquants scientifiques
20 décembre 2012
Les éléments magnétorésistifs peuvent être utilisés dans des mémoires magnétiques ou des capteurs magnétiques. L’obtention d’une couche ferromagnétique bloquée est une condition indispensable à la réalisation de ces applications et est maintenant bien développée dans le cas des métaux.
12 mars 2012
La réalisation de composants électroniques à base de graphène est aujourd'hui un défi technologique plein de promesses, puisque l'on peut espérer bénéficier de la mobilité électronique exceptionnelle au sein de ce matériau, constitué d'un seul plan atomique d'atomes de carbone.
07 août 2006
J. Gabelli1, G. Fève1, J.-M. Berroir1, B. Plaçais1, A. Cavanna2, B. Etienne2, Y. Jin2, D. C. Glattli1,3
Une équipe mixte ENS/CNRS/CEA-Saclay(SPEC) du Laboratoire Pierre Aigrain a pour la première fois mis en évidence le comportement remarquable d’un circuit électronique lorsque sa miniaturisation est poussée à l’extrême. Ces résultats sont publiés dans la revue Science.
25 juillet 2006
D. Fichou1, E. Menard1 et A. Marchenko1, J. A. Rogers2, V. Podzorov3, M. E. Gershenson3
L’émergence des semi-conducteurs organiques dans le monde de l'électronique et des technologies de l'information est désormais une réalité. Petites molécules ou polymères, ces matériaux peuvent être substitués au silicium dans la fabrication de transistors, de cellules photovoltaïques ou de diodes électro-luminescentes.

 

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