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Univ. Paris-Saclay

Faits marquants 2009

16 mars 2009
J. Charlier, A. Ghorbal, F. Grisotto, S. Palacin

Le développement et la réalisation de dispositifs en micro- et bio-électronique nécessite souvent de déposer des couches de substances organiques sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices. Pour ceci l'accroche chimique (ou greffage) est très efficace. La miniaturisation souhaitée des composants demande de pouvoir réaliser aujourd'hui ce greffage de façon très localisée, à l'échelle du micron, voire sub-micronique.

Pour lier de façon localisée une molécule à une surface, on expose usuellement la surface macroscopique d'un substrat à de très faibles quantités de solution. La localisation peut aussi être assistée par un faisceau lumineux ou une chimie spécialisée. La plupart de ces techniques requièrent de nombreuses étapes de transformation et leur mise en œuvre est souvent fastidieuse et onéreuse. Dans ce contexte, nous montrons qu'il est possible par une démarche originale d'effectuer un greffage local en une seule étape, ne nécessitant aucune technique de masquage et à base de technologies légères de faible coût.

Nous avons montré récemment [1-4] qu'il était déjà possible de décorer, localement et en une seule étape, par un film organique (électro-greffage de monomères vinyliques), la surface d'un échantillon composite présentant des zones de conductivité différente (Au/Si, Si/Si dopé). La sélectivité spatiale du dépôt est obtenue dans ce cas en jouant simplement sur le potentiel imposé, qui permet de promouvoir le transfert électronique (et donc le greffage du polymère) vers l'une des surfaces à l'exclusion de l'autre. Le motif prédéfini est ainsi parfaitement respecté, avec une résolution latérale uniquement limitée par l'épaisseur du film (de quelques nm à quelques centaines de nm).

24 octobre 2009
O.Bezencenet, A.Barbier, D.Bonamy, R.Belkhou (SOLEIL), P.Ohresser (SOLEIL)

Avec l'avènement de l'électronique de spin (spintronique), il est devenu particulièrement important de visualiser et de comprendre la manière dont se forment les domaines magnétiques dans les structures magnétiques. Ceci est plus particulièrement délicat pour les couches antiferromagnétiques, qui ne présentent aucune aimantation macroscopique et n'interagissent par conséquent que faiblement avec des sondes.

Ces couches antiferromagnétiques constituent un élément essentiel dans les hétérostructures magnétiques où elles sont appelées à piéger l'aimantation de couches voisines via le phénomène de couplage d'échange magnétique. Ce type de structure est la base de fonctionnement des capteurs magnétiques modernes (capteurs à magnéto-résistance géante, vannes de spin et jonctions tunnel) et sera très probablement intégré dans les mémoires magnétiques non volatiles du futur tout comme dans les structures multiferroïques. Les parois de domaines magnétiques conditionnent le niveau de bruit électronique dans les dispositifs. Il est donc particulièrement important de les maitriser.

 

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