Le carbure de silicium (SiC) est un semiconducteur à large bande interdite, candidat prometteur pour des applications en micro- et nano-électronique notamment en utilisations haute fréquence, haute température et haute puissance. Dans cette optique, le contrôle de la structure et des propriétés des surfaces à l’échelle atomique est primordial.
Nos études sur la face -SiC(001) ont permis d’établir un modèle atomique pour la surface reconstruite 2×1 observée à haute température en diffraction X à incidence rasante. Une structure c(4×4) a été observée par microscopie à effet tunnel (STM) et spectroscopie de photoémission (XPS), ce qui permet d’attribuer cette reconstruction à la présence d’azote et de proposer un modèle à l’échelle atomique avec dimères d’azote en surface. La métallisation de la surface 3×2 riche en silicium par exposition au deutérium atomique a pu être mesurée par XPS en rayonnement synchrotron, et comparée à la métallisation due à l’hydrogène. Un effet isotopique dans les transferts de charge à la surface a pu être mis en évidence.
SPCSI