Contrôle magnéto-ionique de jonctions tunnel magnétiques pour des applications neuromorphiques

Stage M2
CEA Saclay, Site de l’Orme des merisiers (91) Essonne, France
30 décembre 2024
1 mars 2025
6 mois
2024-controle-magneto-ionique-de-jonctions-tunnel-magne-fr

Domaine, spécialité : PHYSIQUE
Mots-Clés : Spintronique, contrôle ionique par grille de l’anisotropie magnétique, informatique neuromorphique

Unité d’accueil : SPEC/LNO

Résumé

La magnéto-ionique est un domaine émergent qui offre un grand potentiel de réduction de la consommation d’énergie dans les applications de mémoire spintronique grâce au contrôle non-volatile des propriétés magnétiques par l’intermédiaire de tension de grille. En combinant le concept de mouvement ionique contrôlé par tension des technologies memristor, typiquement utilisées dans les applications neuromorphiques, avec la spintronique, ce domaine offre une opportunité unique de créer une nouvelle génération de fonctionnalités neuromorphiques basées sur des dispositifs spintroniques.

Le doctorat sera un projet de recherche expérimentale axé sur la mise en œuvre du contrôle par tension de grille d’effets magnéto-ioniques dans les dispositifs spintroniques à jonction tunnel magnétique. Le but ultime du projet est d’obtenir un contrôle fiable et non volatile de la commutation de l’aimantation dans les jonctions tunnel magnétiques à trois terminaux.
Un défi majeur reste à relever pour l’utilisation de la magnéto-ionique dans des applications pratiques, à savoir son intégration dans les jonctions tunnel magnétiques (MTJ), qui sont les éléments constitutifs des architectures de mémoire magnétique. Cela permettra non seulement de débloquer le contrôle dynamique des champs/courants de commutation dans les jonctions tunnel magnétiques afin de réduire la consommation d’énergie, mais aussi de contrôler la stochasticité, ce qui a des implications importantes dans l’informatique probabiliste.

Sujet détaillé

Le projet bénéficiera, grâce à la collaboration entre le C2N et le SPEC, de l’expertise du C2N dans le domaine de la magnéto-ionique, des architectures informatiques neuromorphiques et de la nanofabrication, ainsi que de l’expertise du CEA-SPEC dans la conception, le dépôt et la fabrication, la caractérisation de matériaux spintroniques et de dispositifs MTJ pour des applications variées.

Lieu du stage

Orme des merisiers, CEA Saclay, 91 Essonne, France

Conditions de stage

  • Durée du stage : 6 mois
  • Niveau d’étude requis : Bac+5
  • Formation : Ingenieur/Master
  • Poursuite possible en thèse : Oui
  • Date limite de candidature : 1 mars 2025

Compétences requises

Langue : Anglais

Méthodes, techniques :
Les moyens techniques qui seront utilisés comprennent des outils de dépôts par pulvérisation cathodique de films minces ferromagnétiques, des outils de caractérisations DRX/XRR, magnétométrie, mesures simultanées de magnéto-transport et d’imagerie magnéto-optique, ainsi que tous les outils de nanofabrication nécessaires (salle blanche).

Liens utiles

Responsable du stage

Aurélie Solignac
Tél. : 01 69 08 95 40
Email :