Procédé d’électrogreffage localisé sur des substrats conducteurs ou semi-conducteurs en présence d’une microélectrode

Procédé d’électrogreffage localisé sur des substrats conducteurs ou semi-conducteurs en présence d’une microélectrode

J. Charlier, S. Palacin, A. Ghorbal, F Grisotto
BD10546
8 mars 2008
1 octobre 2009

Procédé d'électrogreffage localisé sur des substrats conducteurs ou semi-conducteurs en présence d'une microélectrode

La présente invention concerne un procédé de greffage localisé d'un film organique sur une zone sélectionnée d'un substrat conducteur ou semi- conducteur de l'électricité, en présence d'une solution liquide contenant au moins un primaire d'adhésion organique et au moins un monomère polymérisable par voie radicalaire, différent du primaire d'adhésion organique, par application d'un potentiel électrique au substrat en présence d'une microélectrode polarisée. La présente invention concerne également un film organique isolant greffé sur un substrat conducteur ou semi- conducteur, susceptible d'être préparé par ledit procédé


Method for localised electro-grafting on conducting or semiconducting substrates in the presence of a microelectrode (WIPO link)

The invention relates to a method for the localised grafting of an organic film in a selected area of an electrically conducting or semiconducting substrate, in the presence of a liquid solution containing at least one organic adhesion primer and at least one radically polymerisable monomer and different from the organic adhesion primer, wherein said method comprises the application of an electric potential to the substrate in the presence of a polarised microelectrode. The invention also relates to an organic insulating film grafted on a conducting or semiconducting substrate that can be produced by said method.adhesion primary, and to the various uses thereof.

Contact: S. Palacin

Image d’une surface gréffée obtenue par microscopie optique après le greffage par chronoampérométrie en fonction du diamètre de la microélectrode: 25µm (fig a), 50µm (fig b)et 100µm (fig c)