Un aspect de l'invention concerne un empilement magnétorésistif (1) comprenant : – Une couche de référence (2) comprenant : • Une couche magnétique (21), • Une couche antiferromagnétique (24) en couplage d'échange avec la couche magnétique (21), • Une couche magnétique (22) sensiblement de même aimantation que la couche magnétique (21), • Une couche espaceur (23) entre les couches magnétiques (21, 22) d'épaisseur permettant un couplage antiferromagnétique entre les couches magnétiques (21, 22) d'une première intensité de couplage, – Une couche libre (3) de coercivité inférieure à 10 microTesla, la couche libre (3) comprenant : • Une couche magnétique (32), • Une couche antiferromagnétique (34) en couplage d'échange avec la couche magnétique (32), • Une couche magnétique (31) sensiblement de même aimantation que la couche magnétique (32), • Une couche espaceur (33) entre les couches magnétiques (31, 32) d'épaisseur permettant un couplage antiferromagnétique entre les couches magnétiques d'une deuxième intensité de couplage inférieure à la première intensité de couplage, – Une troisième couche espaceur (4) séparant la couche de référence (2) et la couche libre (3).
Magnetoresistive stack without radiated field, sensor and magnetic mapping system comprising such a stack (WIPO link)
One aspect of the invention relates to a magnetoresistive stack (1) comprising: – a reference layer (2) comprising: • a magnetic layer (21), • an antiferromagnetic layer (24) in exchange coupling with the magnetic layer (21), • a magnetic layer (22) substantially of the same magnetization as the magnetic layer (21), • a spacer layer (23) between the magnetic layers (21, 22) with a thickness for enabling an antiferromagnetic coupling between the magnetic layers (21, 22) of a first coupling intensity, – a free layer (3) having a coercivity of less than 10 microTesla, the free layer (3) comprising: • a magnetic layer (32), • an antiferromagnetic layer (34) in exchange coupling with the magnetic layer (32), • a magnetic layer (31) substantially of the same magnetization as the magnetic layer (32), • a spacer layer (33) between the magnetic layers (31, 32) with a thickness for enabling an antiferromagnetic coupling between the magnetic layers of a second coupling intensity lower than the first coupling intensity, – a third spacer layer (4) separating the reference layer (2) and the free layer (3).
Auteurs : Claude Fermon, Aurélie Solignac, Myriam Pannetier-Lecoeur (SPEC/LNO)