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  • Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d’obtention d’une telle couche

    Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d’obtention d’une telle couche

    IRAMIS, LENSIS
    11 janvier 2007
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