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  • Couche de silicium très sensible à l’oxygène et procédé d’obtention de cette couche

    Couche de silicium très sensible à l’oxygène et procédé d’obtention de cette couche

    IRAMIS, LENSIS
    31 mai 2001
  • Génération d’un brouillard dense de gouttelettes micrométriques pour la lithographie dans l’UV extrême

    Génération d’un brouillard dense de gouttelettes micrométriques pour la lithographie dans l’UV extrême

    IRAMIS
    26 avril 2001
CEA

Institut IRAMIS

Centre CEA Paris-Saclay
Site de Saclay
91190 Gif-sur-Yvette

Tél. : +33 (0)1 69 08 60 00

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