L’étude des défauts aux différentes échelles est un thème fédérateur pour les équipes du LSI, tant au plan expérimental que théorique, et regroupe les études sur :

1. défauts à l’échelle atomique dans les verres, les semi-conducteurs III-V que nous pouvons identifier finement grâce aux développements instrumentaux en cours ;
2. défauts d’irradiation dans les semi-conducteurs de cellules solaires spatiales dont nous étudions la dégradation des performances ;
3. désordre protonique inter-couche dans les hydroxydes lamellaires et conséquences vis-à-vis de la réactivité.

Un deuxième thème se greffe naturellement sur ce premier axe, en regroupant les projets liés à la structuration de la matière :

1. pour la conception de nouveaux matériaux et interfaces optimisés du point de vue des propriétés, en jouant sur les défauts ponctuels ou étendus,
2. l’étude de la structure cristalline de composés sulfo-alumineux et de ses conséquences sur la réactivité.

A cette thématique s'ajoute l’étude de la structuration des verres phosphates par irradiation.