Transistors à base de nanotubes de carbone… De plus en plus rapides !

Des chercheurs de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN / CNRS – Universités Lille 1 et Valenciennes, Institut supérieur de l’électronique et du numérique) et du Service de Physique de l’Etat Condensé du CEA sont parvenus à réaliser des transistors à partir de nanotubes de carbone sur substrat de silicium. Ces transistors, principalement utilisés comme interrupteur commandé, atteignent des fréquences de coupure de 30 GHz , ce qui améliore d’un facteur 4 le dernier record obtenu par les mêmes équipes en août 2006. Ce résultat ouvre de nouvelles perspectives pour les applications grand public nécessitant des fréquences de fonctionnement élevées. (Pour en savoir plus…, version PDF). L’article scientifique associé : A. Le Louarn, F. Kapche, J.-M. Bethoux, H. Happy, and G. Dambrine, V. Derycke, P. Chenevier, N. Izard, M. F. Goffman, and J.-P. Bourgoin, Appl. Phys. Lett. 90, 233108, juin 2007.