| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST| Contact
Univ. Paris-Saclay
Brevet : Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée
logo_tutelle 
Brevet : Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée

Représentation par calcul théorique des atomes en surface des atomes de S1C (le couplage entre liaisons pendantes est indiqué par une flèche)

Numéro d'identification : WO/2007/074228 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 18-12-2005
Date de publication : 05-07-2007 

Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée

La présente invention concerne un substrat semi-conducteur à gap indirect, supérieur au gap du silicium, préférentiellement supérieur à 1,5 eV, son utilisation pour imager un échantillon par microscopie à effet tunnel en émission de photons, ainsi qu'un procédé d'imagerie à effet tunnel en émission de photons utilisant un tel substrat semi-conducteur à gap indirect. Avantageusement, le substrat semi-conducteur à gap indirect est le carbure de silicium. La présente invention concerne également des disupositifs pour la mise en œuvre du procédé d'imagerie selon l'invention.

 


Improved photon-emission scanning tunnel microscopy
(WIPO link)

 

The present invention relates to an indirect-gap semiconductor substrate, the gap being greater than that of silicon and preferably greater than 1.5 eV, to its use for imaging a supecimen by photon-emission scanning tunnel microscopy, and to a photon-emission scanning tunnel imaging method using such an indirect-gap semiconductor substrate. Advantageously, the indirect-gap semiconductor substrate is made of silicon carbide. The present invention also relates to devices for implementing the imaging method according to the invention.  .

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

 
#1425 - Màj : 19/03/2010

 

Retour en haut