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Brevet : Procédé de greffage organique localisé sans masque sur des portions conductrices ou semiconductrices de surfaces composites
S. Palacin , C. Bureau, JP Bourgoin, J. Charlier et S. Ameur logo_tutelle 

Numéro d'identification : WO 2002/070148 (lien OMPI)
Numéro d'identification  CEA : BD1356
Date de dépôt : 02-03-2001
Date de publication : 12-09-2002

Procédé de greffage organique localisé sans masque sur des portions conductrices ou semiconductrices de surfaces composites

Procédé de greffage localisé sans masque de molécules organiques susceptibles d'être électriquement activées, sur une surface composite comprenant des portions conductrices et/ou semi-conductrices, par mise en contact des molécules avec la surface. Le greffage est réalisé électrochimiquement en une seule étape sur des zones choisies,  ces zones étant portées à un potentiel supérieur ou égal à un potentiel électrique seuil déterminé par rapport à une électrode de référence. Le potentiel électrique seuil est le potentiel au-delà duquel se produit le greffage des molécules organiques.

 



Method for mask-free localised organic grafting on conductive or semiconductive portions of composite surfaces(WIPO link)

 

The invention concerns a mask-free localised grafting of organic molecules capable of being electrically activated, on a composite surface comprising conductive and/or semiconductive portions, by contacting the organic molecules with the composite surface. The grafting is carried out electrochemically in one single step on specific selected zones of the conductive and/or semiconductive portions. These zones are brought to a potential higher than an electric potential threshold determined relatively to a reference electrode. the electric potential threshold is the potential beyond which the grafting of the organic molecules occurs.

Contact: S. Palacin

 

Maj : 16/02/2013 (1334)

 

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