Traitement d’un film mince par plasma d’hydrogène et polarisation pour en améliorer la qualité cristalline

Traitement d’un film mince par plasma d’hydrogène et polarisation pour en améliorer la qualité cristalline

L'invention concerne un procédé de traitement d'un film mince en un matériau conducteur ou semi-conducteur pour en améliorer la qualité cristalline. Il comprend : – la fourniture d'un substrat comportant, sur l'une de ses faces, un film mince dudit matériau; et – le traitement sous plasma polarisé de l'ensemble formé par le substrat et le film mince à une température et pendant une durée déterminées, de manière à obtenir une réorganisation cristalline sur une profondeur du film mince, le traitement sous plasma polarisé comprenant une polarisation électrique du film mince et une exposition du film ainsi polarisé à un plasma d'hydrogène, le traitement sous plasma polarisé étant réalisé à une température qui est inférieure aux températures de fusion du film mince et du substrat.

Treatment of a thin film by hydrogen plasma and polarisation in order to improve the crystalline quality thereof (WIPO link)

The invention concerns a method for treating a thin-film on a conductive or semiconductor material in order to improve the crystalline quality thereof. It comprises: – providing a substrate comprising, on one of its faces, a thin film of said material; and – treating, under polarised plasma, the assembly formed by the substrate and the thin-film at a determined temperature and for a determined duration, so as to obtain a crystalline reorganisation over a depth of the thin-film, the treatment under polarised plasma comprising an electrical polarisation of the thin-film and an exposure of the film thus polarised to a hydrogen plasma, the treatment under polarised plasma being carried out at a temperature which is less than the melting temperatures of the thin-film and of the substrate.


Auteurs : Julien Delchevalrie, Jean-Charles Arnault (NIMBE/LEDNA), Samuel Saada, Romain Bachelet.