Procédé de métallisation de surface préalablement passivée d’un matériau semi-conducteur et matériau obtenu par ce procédé
Procédé de métallisation d’une surface préalablement passivée d’un matériau semi-conducteur et matériau obtenu par ce procédé. Selon l’invention, qui s’applique notamment en microélectronique, on prépare la surface de matériau (2) de façon qu’elle possède des liaisons capables d’adsorber des atomes d’hydrogène ou d’un élément métallique, on passive une ou plusieurs couches, de préférence immédiatement sous-jacentes à la surface, en l’exposant à un composé de passivation, et l’on métallise la surface (4) en l’exposant à des atomes d’hydrogène ou de l’élément métallique.
Method for metalizing a passivated surface of a semiconductor material and resulting material
(WIPO link)
The invention concerns a method for metalizing a passivated surface of a semiconductor material and resulting material. The invention, which is applicable in microelectronics, is characterized in that it consists in: preparing the surface of the material (2) so that it contains bonds capable of absorbing hydrogen atoms or a metal element, passivating one or more layers, preferably immediately underlying the surface, by exposing same to a passivating compound, and metalizing the surface (4) by exposing same to hydrogen atoms or the metal element.
Contact: P. Soukiassian
