Fils atomiques de grande longueur et de gande stabilite, procédé de fabrication de ces fils, application en nano-électronique
Les fils (2) sont formés sur la surface d’un substrat (6) en SiC et sont des chaînes rectilignes de dimères d’un élément choisi parmi Si et C. Pour les obtenir, on forme des couches de l’élément sur la surface et on forme les chaînes par recuit de l’ensemble.
Very long and highly stable atomic wires, method for making these wires, application in nano-electronics.
(Lien WIPO)
The wires (2) are formed on the surface of a SiC substrate (6) and are rectilinear chains of an element selected from Si and C. The method for obtaining them consists in: forming layers of the element on the surface and constructing the assembly by repeatedly annealing this surface provided with layers.
Contact: P. Soukiassian
