Dispositif permettant de de détecter un champ magnétique / Device for sensing a magnetic field

Dispositif permettant de de détecter un champ magnétique / Device for sensing a magnetic field

C. Fermon, M Pannetier-Lecoeur, J. Simola
BD1469
20 décembre 2024
12 septembre 2004

Dispositif permettant de de détecter un champ magnétique

La présente invention concerne un dispositif permettant de détecter un champ magnétique, qui comprend une boucle de détection supraconductrice fermée (1) comportant une largeur de trajectoire (d) gravée dans un film supraconducteur mince à couche unique qui présente un étranglement (15) dont la largeur est d’une dimension étroite plus petite que la largeur de trajectoire (d). La boucle de détection supraconductrice fermée (1) constitue un transformateur flux-champ (FFDT). Au moins un élément magnétorésistif (2) est placé au-dessus ou en-dessous du film mince supraconducteur, lequel élément magnétorésistif (2) est isolé du film mince supraconducteur par une fine couche isolante, et est placé de telle manière qu’une partie active de l’élément magnétorésistif (2) se trouve à l’emplacement de l’étranglement (15) et que ladite partie possède une largeur inférieure ou égale à celle de l’étranglement (15). La partie active de l’élément magnétorésistif (2) est orientée de telle manière que le courant de polarisation dans cette partie active est dirigé essentiellement le long de l’étranglement (15), perpendiculairement à la largeur de dimension étroite.


Device for sensing a magnetic field (lien WIPO)

The device for sensing a magnetic field comprises a closed superconducting pick-up loop (1) having a path width (d) etched out of a single layer superconducting thin film and provided with a constriction (15) having a width (w) of narrow dimension smaller than the path width (d). The closed superconducting pick-up loop (1) constitutes a flux-to-field transformer (FFDT). At least one magnetoresistive element (2) is placed on top of or below the superconducting thin film, is isolated from the superconducting thin film by a thin insulating layer and is located so that an active part of the magnetoresistive element (2) is at the location of the constriction (15) and has a width equal to or less than the width of the constriction (15). The active part of the magnetoresistive element (2) is oriented so that the bias current in this active part is directed essentially along the constriction (15), orthogonally to the width of narrow dimension.

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Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

Vue schématique d’une sonde selon l’invention