Dispositif de génération de lumière dans l’extrême ultraviolet (EUV) et application à une source de lithographie par rayonnement dans l’extrême ultraviolet
Le dispositif comprend un dispositif (2) pour créer, dans un espace sous vide où sont focalisés des faisceaux laser (1), une cible (4) linéaire, apte à produire par interaction avec les faisceaux laser focalisés (1) un plasma, émettant un rayonnement dans l’extrême ultraviolet. Un dispositif récepteur (3) reçoit la cible (4) après son interaction avec les faisceaux laser focalisés (1), tandis qu’un dispositif collecteur (110) collecte le rayonnement EUV émis par la cible (4). Les éléments (11) de focalisation des faisceaux laser sur la cible (4) sont agencés de telle sorte que les faisceaux laser (1) soient focalisés latéralement sur la cible (4) en étant situés dans un même demi-espace par rapport à la cible (4) et en étant inclinés d’un angle prédéterminé compris entre environ 60° et 90° par rapport à un axe moyen de collecte (6) perpendiculaire à la cible (4). Le dispositif collecteur (110) est disposé symétriquement par rapport à l’axe moyen de collecte (6) dans le demi-espace contenant les faisceaux laser (1) focalisés sur la cible (4) et à l’intérieur d’un espace conique (8) centré sur l’axe moyen de collecte (6) avec un sommet situé sur la cible (4) et un demi-angle au sommet inférieur à l’angle d’inclinaison des faisceaux laser focalisés (1) par rapport à l’axe moyen de collecte (6). Le dispositif est applicable à une source de lithographie par rayonnement EUV pour la fabrication de circuits intégrés.
Device for generating extreme ultraviolet light and application to an extreme ultraviolet radiation lithography source
(WIPO link)
The invention concerns a device (2) for creating, in a vacuum space where laser beams (1) are focused, a substantially linear target capable of emitting by interaction with the focused laser beams (1) a plasma emitting an extreme ultraviolet radiation. A receiver device (3) receives the target (4) after its interaction with the focused laser beams (2), while a collector device (110) collects the EUV radiation emitted by the target (4). The elements (11) focusing the laser beams on the target (4) are arranged such that the laser beams (1) are focused laterally on the target (4) by being located in a common half-space relative to the target (4) and by being inclined at a predetermined angle between about 60° and 90° relative to a mean collecting axis (6) perpendicular to the target (4). The collector device (110) is arranged symmetrically relative to the means collecting axis (6) in the half-supace containing the laser beams (1) focused on the target (4) and inside a conical supace (8) centered on the mean collecting axis (6) with an apex located on the target (4) and a half-angle at apex smaller than the angle of inclination of the focused laser beams (1) relative to the mean collecting axis (6). The device is applicable to a EUV radiation lithography source for making integrated circuits.
Contact: M. Schmidt
