Couche de silicium très sensible a l’oxygène et procédé d’obtention de cette couche
Couche de silicium très sensible à l’oxygène et procédé d’obtention de cette couche. Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure 3×2. Pour l’obtenir, on peut déposer de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L’invention s’applique par exemple en microélectronique.
Highly oxygen-sensitive silicon layer and method for obtaining same
(WIPO link)
The invention concerns a highly oxygen-sensitive silicon layer and a method for obtaining same. Said layer (2), formed on a substrate (4) for example made of SiC, has a 3×2 structure. The method for obtaining same consists in depositing silicon substantially uniformly on one surface of the substrate. The invention is applicable for example in microelectronics.
Contact: P. Soukiassian
