Ce projet consiste à mener des recherches sur les couches minces de matériaux ferroélectriques à base de HfO2 et HfZrO23 et leur propriétés électriques, avec un double enjeu : réaliser des mémoires ferroélectriques pour le stockage de l'information et des transistors ferroélectriques pour les circuits logiques, pleinement compatibles avec la technologie CMOS. Ce type de mémoire devra notamment être capable de remplacer les mémoires flash dans les dispositifs de type microcontrôleurs (MCU) pour l'interfaçage Internet des Objets de notre quotidien. Un des enjeux consiste à placer les industriels européens de la microélectronique en « pole position » dans le développement de mémoires simples, à haute densité de stockage, à grande vitesse de lecture/écriture et à bas coût.
Collaboration :
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