Dispositif de détection/mémorisation de rayonnements électromagnétiques, procédé de fabrication, utilisation de ce dispositif et imageur l’incorporant
La présente invention concerne un dispositif de détection et de mémorisation de rayonnements électromagnétiques, un imageur l’incorporant, un procédé pour la fabrication dudit disupositif et une utilisation de ce dernier. Un dispositif (1) selon l’invention, comprenant un phototransistor à effet de champ qui comporte: – deux électrodes de contact de source (S) et de drain (D), – une unité de conduction électrique qui est connectée aux électrodes de contact et qui est recouverte d’une couche polymérique photosensible (3) apte à absorber les: rayonnements, à détecter, a générer en réponse des charges détectées par ladite unité et I à stocker ces charges, et – une électrode de grille (G) qui est adaptée pour contrôler le courant électrique dans l’unité ainsi que la répartition supatiale des charges dans ladite couche et qui est séparée de ladite unité par un diélectrique de grille (4), est tel que l’unité de conduction comporte au moins un nanotube ou nanofil (2) semi-; conducteur apte à fournir un signal électrique représentatif d’une modification de; conductivité du phototransistor ayant été exposé à un rayonnement, et que le diélectrique! de grille présente une épaisseur et une permittivité ε,, qui satisfont à t,le >0,2 nm*1, de sorte que la conductivité après exposition puisse être réinitialisée électriquement en un, temps minimisé et que ledit dispositif forme au moins un pixel d’imagerie.
Device for detecting/storing electromagnetic beams, method for making same, and use thereof and imager incorporating same
(WIPO link)
The invention concerns a device for detecting and storing electromagnetic beams, an imager incorporating same, a method for making said device and use thereof. The inventive device (1) comprises a field-effect phototransistor including: two source (S) and drain (D) contact electrodes, an electrical conduction unit which is connected to the two contact electrodes and which is coated with a photosensitive polymeric coating (3) capable of absorbing the beams, of detecting, of generating in resuponse the loads detected by said unit and of storing said loads, and a gate electrode (G) which is capable of controlling the electric current in the unit as well as supatially distributing the loads in said coating and which is separated from said unit by a gate dielectric (4). Said device is configured such that the conduction unit comprises at least one semiconductive nanotube or nanowire (2) capable of supplying an electric signal representing a modification of the conductivity of the phototransistor having been exposed to a beam, and that the gate dielectric has a thickness and a permittivity ε, which satisfy εr>0.2 nm*1, so that the conductivity after exposition may be electrically reset in a reduced time and that the device forms at least one imaging pixel.
Contact: J.P. Bourgoin
