Laboratoire Léon Brillouin
UMR12 CEA-CNRS, Bât. 563 CEA Saclay
91191 Gif sur Yvette Cedex, France
+33-169085241 llb-sec@cea.fr
Représentation par calcul théorique des atomes en surface des atomes de S1C (le couplage entre liaisons pendantes est indiqué par une flèche)
Numéro d'identification : WO/2007/074228 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 18-12-2005
Date de publication : 05-07-2007
Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée
La présente invention concerne un substrat semi-conducteur à gap indirect, supérieur au gap du silicium, préférentiellement supérieur à 1,5 eV, son utilisation pour imager un échantillon par microscopie à effet tunnel en émission de photons, ainsi qu'un procédé d'imagerie à effet tunnel en émission de photons utilisant un tel substrat semi-conducteur à gap indirect. Avantageusement, le substrat semi-conducteur à gap indirect est le carbure de silicium. La présente invention concerne également des disupositifs pour la mise en œuvre du procédé d'imagerie selon l'invention.
Improved photon-emission scanning tunnel microscopy
(WIPO link)
The present invention relates to an indirect-gap semiconductor substrate, the gap being greater than that of silicon and preferably greater than 1.5 eV, to its use for imaging a supecimen by photon-emission scanning tunnel microscopy, and to a photon-emission scanning tunnel imaging method using such an indirect-gap semiconductor substrate. Advantageously, the indirect-gap semiconductor substrate is made of silicon carbide. The present invention also relates to devices for implementing the imaging method according to the invention. .
Contact: P. Soukiassian, F. Charra
• Les archives de l'IRAMIS et du DRECAM / Archives of DRECAM and IRAMIS › Surfaces and nanostructures
• Institut Rayonnement Matière de Saclay • IRAMIS: Saclay Institute of Matter and Radiation • Laboratory of Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces • Service de Physique et Chimie des Surfaces et des Interfaces
• Laboratory of Nanostructures Studies and Surface Imagery (LENSIS) • pas de titre • Laboratoire d'Electronique et Photonique Organique (LEPO) • Laboratoire d'Etude des NanoStructures et Imagerie de Surface (LENSIS)