L'invention concerne un procédé de traitement d'un film mince en un matériau conducteur ou semi-conducteur pour en améliorer la qualité cristalline. Il comprend : – la fourniture d'un substrat comportant, sur l'une de ses faces, un film mince dudit matériau; et – le traitement sous plasma polarisé de l'ensemble formé par le substrat et le film mince à une température et pendant une durée déterminées, de manière à obtenir une réorganisation cristalline sur une profondeur du film mince, le traitement sous plasma polarisé comprenant une polarisation électrique du film mince et une exposition du film ainsi polarisé à un plasma d'hydrogène, le traitement sous plasma polarisé étant réalisé à une température qui est inférieure aux températures de fusion du film mince et du substrat.
Treatment of a thin film by hydrogen plasma and polarisation in order to improve the crystalline quality thereof (WIPO link)
The invention concerns a method for treating a thin-film on a conductive or semiconductor material in order to improve the crystalline quality thereof. It comprises: – providing a substrate comprising, on one of its faces, a thin film of said material; and – treating, under polarised plasma, the assembly formed by the substrate and the thin-film at a determined temperature and for a determined duration, so as to obtain a crystalline reorganisation over a depth of the thin-film, the treatment under polarised plasma comprising an electrical polarisation of the thin-film and an exposure of the film thus polarised to a hydrogen plasma, the treatment under polarised plasma being carried out at a temperature which is less than the melting temperatures of the thin-film and of the substrate.
Auteurs : Julien Delchevalrie, Jean-Charles Arnault (NIMBE/LEDNA), Samuel Saada, Romain Bachelet.