Procédé de fabrication d’une couche d’un matériau antiferromagnétique à structures magnétiques contrôlées
L’invention concerne un procédé de fabrication de couches antiferromagnétiques, et plus particulièrement celles qui sont utilisées en électronique de spin. Le procédé comporte les étapes suivantes : – Le dépôt (1) sur un substrat d’une première couche sur une épaisseur suffisante pour établir un ordre magnétique déterminé parmi l’un des ordres ferrimagnétique, ferromagnétique, paramagnétique ou diamagnétique; après établissement de l’ordre, – L’application (2) d’un champ magnétique dont l’amplitude et la durée sont suffisants pour déplacer les parois des domaines magnétiques de la première couche d’une première répartition statistique vers une deuxième répartition statistique. – Un dépôt (3), sur la première couche dont les parois des domaines magnétiques ont été déplacées, d’une seconde couche d’un matériau antiferromagnétique dans lequel peut s’intégrer par diffusion lors de la croissance l’un au moins des composants du matériau de la première couche.
Process for fabricating a film of an antiferromagnetic material with controlled magnetic structures
(WIPO link)
The invention relates to a process for fabricating antiferromagnetic films, and more particularly those that are used in spintronics. The process according to the invention comprises the following steps: – The deposition (1) on a substrate of a first film with a thickness sufficient to establish a defined magnetic order from one of the ferrimagnetic, ferromagnetic, paramagnetic and diamagnetic orders; after said order has been established,- The application (2) of a magnetic field having an amplitude and a duration that are sufficient to shift the magnetic domain walls of said first film from a first random distribution to a second random distribution- The deposition (3), on said first film that has had its magnetic domain walls shifted, of a second film of an antiferromagnetic material into which, during growth, at least one of the components of material of said first film may be integrated by diffusion.
Contact: A. Barbier.
