CEA
CNRS
Univ. Paris-Saclay

Service de Physique de l'Etat Condensé

Brevet : Transistor a effet de champ à nanotubes de carbone
J.P. Bourgoin , M. Goffman, V. Derycke et N. Chimot logo_tutelle 

Numéro d'identification : WO 2008/152281 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 31-05-2007
Date de publication : 18-12-2008

Transistor a effet de champ à nanotubes de carbone  

La présente invention concerne un transistor à effet de champ flexible à base de nanotubes et son procédé de fabrication. Selon l'invention, Le transistor (1 ) à effet de champ comporte deux électrodes (3, 4, 5) de contact (drain et source), une zone de conduction électrique connectée aux électrodes de contact comportant plusieurs nanotubes de carbone mono-paroi (13) alignés, une électrode de grille (6, 7) pour le contrôle du courant électrique circulant dans la zone de conduction et un substrat flexible (2) sur lequel sont déposées les électrodes de contact et de grille (3, 4, 5, 6, 7). La densité de nanotubes dans la zone de conduction est supérieure à 10 nanotubes par micron.


Field effect transistor with carbon nanotubes
(WIPO link)

The invention relates to a flexible field-effect transistor with nanotubes, and to a method for making the same. The field-effect transistor of the invention includes at least two resupectively drain and source contact electrodes (3, 4, 5), an electric conduction area connected to the contact electrodes, said area including a plurality of substantially aligned single-wall carbon nanotubes (13), a gate electrode (6, 7) for controlling the electric current flowing in said area and a flexible substrate (2) on which the contact and grid electrodes (3, 4, 5, 6, 7) are deposited. The density of the nanotubes in the conduction area is strictly higher than 10 nanotubes per micron.

Contact: J.P. Bourgoin

 

Maj : 22/06/2009 (1393)

 

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