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Brevet : Nanostructures à résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication
P. Soukiassian , M. Silly et F. Charra
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Brevet : Nanostructures à résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication

Vue en coupe schématique d'un exemple d'une nanosructue conforme à l'invention

Numéro d'identification : WO 2007/003576 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 30-06-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Nanostructures a résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication

Nanostructures à 0, 1, 2 et 3 dimensions, à résistance différentielle négative et procédé de fabrication de ces nanostructures. Une nanostructure conforme à l'invention est notamment utilisable en nano-électronique. Elle comprend une structure (32) à la surface d'un substrat de carbure de silicium (30), la structure étant choisie parmi les plots quantiques, les segments atomiques, les lignes atomiques et les agrégats, et au moins un dépôt de métal (34). Ce dépôt de métal recouvre la structure, ou la combinaison de 2 ou plus des nanostructures à 0, 1, 2 ou 3 dimensions.

 


Nanostructures with negative differential resistance and method for making same
(WIPO link)

 

The invention concerns nanostructures of 0, 1, 2 and 3 dimensions, with negative differential resistance and a method for making said nanostructures. The inventive nanostructure is in particular useful in nano electronics. It comprises at least one structure (32) or at least a plurality of said at least one structure, on the surface of a silicon carbide substrate (30), the structure being selected among quantum connection pads, atomic segments, atomic lines and aggregates, and at least one metal deposit (34), said metal deposit covering at least the structure or at least the plurality of said at least one structure, or the combination o at least two of said structures with 0, 1, 2 or 3 dimensions.

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

 
#1416 - Last update : 03/19 2010

 

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