Elément a effet de magnétorésistance a réponse améliorée aux champs magnétiques
L4invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comportant un agencement à deux broches avec deux couches de brochage anti-ferromagnétiques, deux couches brochées, et une couche libre. Une couche d'écartement entre l'une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques et la couche libre comprend un matériau choisi pour permettre un brochage partiel contrôlable par une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques.
Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
A magnetoresistance element has a double pinned arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.
Contact: M. Pannetier-Lecoeur