Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche
La présente invention concerne une couche de silicium qui est très sensible à l'oxygène ainsi qu'un procédé d'obtention de cette couche. La couche est formée sur un substrat, par exemple en SiC, et a une sur-structure de surface 4×3. Pour l'obtenir, on dépose de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.
Couche de silicium tres sensible a l'oxygene et procede d'obtention de cette couche
(Lien WIPO)
The present patent concerns a silicon layer that is hioghly sensitive to oxygen and the process to elaborate this layer. The invention concerns a layer formed on a substrate, for example a SiC layer, having a 4×3 surface structure. The process for obtaining such a layer consists in depositing silicon substantially evenly on a surface of the substrate. The invention is useful in particular in microelectronics.
Contact : P. Soukiassian
