Dans cet exposé, j�expliquerai les motivations qui nous ont conduits à développer la croissance par épitaxie par jets moléculaires assistée d�oxygène atomique de couches d�oxydes d�épaisseur nanométrique. Le choix des couches minces d�oxydes de fer a été motivé par la richesse des propriétés électroniques et magnétiques de cette famille d�oxydes. A la fin des années 90, un fort intérêt est apparu pour l�étude de la magnétite (Fe3O4) du fait de la prédiction de sa demi-métallicité, ce qui la rendait très attractive pour des applications en électronique de spin. Dans ce contexte, nous avons infléchi nos programmes de recherche vers l�étude des propriétés physiques des films minces de Fe3O4 dans la perspective de leur intégration dans des jonctions tunnel magnétiques. Je centrerai l’exposé sur l�étude de la polarisation de spin de l�interface Fe3O4/-Al2O3. J’évoquerai ensuite mes thématiques futures de recherche : -Films d�oxydes et de semi-conducteurs pour des applications dans le solaire photovoltaïque -Interfaces métal/oxyde antiferromagnétique à couplage d�échange magnétique
Laboratoire Léon Brillouin