CEA
CNRS
Univ. Paris-Saclay

Service de Physique de l'Etat Condensé


12 septembre 2004

Numéro d'enregistrement international : WO/2004/06815 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1469
Date de dépôt-Priorité 13.01.2003

Année de publication: 12-09-2004

Dispositif permettant de de détecter un champ magnétique

La présente invention concerne un dispositif permettant de détecter un champ magnétique, qui comprend une boucle de détection supraconductrice fermée (1) comportant une largeur de trajectoire (d) gravée dans un film supraconducteur mince à couche unique qui présente un étranglement (15) dont la largeur est d'une dimension étroite plus petite que la largeur de trajectoire (d). La boucle de détection supraconductrice fermée (1) constitue un transformateur flux-champ (FFDT). Au moins un élément magnétorésistif (2) est placé au-dessus ou en-dessous du film mince supraconducteur, lequel élément magnétorésistif (2) est isolé du film mince supraconducteur par une fine couche isolante, et est placé de telle manière qu'une partie active de l'élément magnétorésistif (2) se trouve à l'emplacement de l'étranglement (15) et que ladite partie possède une largeur inférieure ou égale à celle de l'étranglement (15). La partie active de l'élément magnétorésistif (2) est orientée de telle manière que le courant de polarisation dans cette partie active est dirigé essentiellement le long de l'étranglement (15), perpendiculairement à la largeur de dimension étroite.

 


Device for sensing a magnetic field (lien WIPO)

 

The device for sensing a magnetic field comprises a closed superconducting pick-up loop (1) having a path width (d) etched out of a single layer superconducting thin film and provided with a constriction (15) having a width (w) of narrow dimension smaller than the path width (d). The closed superconducting pick-up loop (1) constitutes a flux-to-field transformer (FFDT). At least one magnetoresistive element (2) is placed on top of or below the superconducting thin film, is isolated from the superconducting thin film by a thin insulating layer and is located so that an active part of the magnetoresistive element (2) is at the location of the constriction (15) and has a width equal to or less than the width of the constriction (15). The active part of the magnetoresistive element (2) is oriented so that the bias current in this active part is directed essentially along the constriction (15), orthogonally to the width of narrow dimension.

Fichier PDF associé 

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

13 mai 2004
M. Bailleul et C. Fermon

Numéro d'identification : WO/2004/040756 (lien OMPI, PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD 1467
Date de dépôt 28-10-2002

Année de publication: 13-05-2004

Dispositif à ondes magnétostatiques basé sur des films minces métalliques, procédé de fabrication et application à des dispositfs de traitement de signaux hyperfréquences

Le dispositif intégré à ondes magnétostatiques comprend un substrat, un film mince ferromagnétique conducteur disposé sur le substrat, une première antenne transductrice de réception de signaux électriques hyperfréquences, disposée parallèlement audit film mince ferromagnétique à proximité de celui-ci pour créer dans ce matériau, par couplage inductif, des ondes magnétostatiques ou des ondes de spin, et une deuxième antenne transductrice d'émission de signaux électriques hyperfréquences, disposée parallèlement audit film mince ferromagnétique à proximité de celui-ci pour être couplée inductivement et délivrer des signaux électriques hyperfréquences lors de l'arrivée d'une onde magnétostatique dans le film mince ferromagnétique, lad deuxième antenne étant située du même côté du film mince ferromagnétique que la première antenne de façon essentiellement coplanaire à cette dernière.

 


Magnetostatic wave device based on thin metal films, method for making same and application to devices for processing microwave signals
(
lien WIPO)

 

The invention concerns an integrated magnetostatic wave device comprising a substrate, a conductive ferromagnetic thin film arranged on the substrate, a first transducer antenna for receiving microwave electric signals, arranged parallel to said ferromagnetic thin film proximate thereto to generate in said material, through inductive coupling, magnetostatic waves or spin waves, and a second transducer antenna for transmitting microwave electric signals, arranged parallel to said ferromagnetic thin film proximate thereto to be inductively coupled and deliver microwave electric signals when a magnetostatic wave reaches the ferromagnetic thin film said second antenna being located on the same side of the ferromagnetic thin film as the first antenna substantially coplanar thereto.

Contact: C. Fermon

 

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