Univ. Paris-Saclay

Service de Physique de l'Etat Condensé

Brevet : Elément à effet de magnétorésistance à réponse améliorée aux champs magnétiques
C. Fermon, M. Pannetier-Lecoeur, M.C. Cyrille, C. Dressler et , P. Campiglio logo_tutelle 

Numéro d’identification: WO/2015/105830 (lien OMPI) 

 

 

 

Numéro d’identification CEA BD 16020                

Année de dépôt : 09.01.2014   

Date de publication : 27.01.2015

  Elément a effet de magnétorésistance a réponse améliorée aux champs magnétiques
  L4invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comportant un agencement à deux broches avec deux couches de brochage anti-ferromagnétiques, deux couches brochées, et une couche libre. Une couche d'écartement entre l'une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques et la couche libre comprend un matériau choisi pour permettre un brochage partiel contrôlable par une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques.


  Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields

  A magnetoresistance element has a double pinned arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.

 

Contact:  M. Pannetier-Lecoeur

 

Maj : 11/12/2016 (2665)

 

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