CEA
CNRS
Univ. Paris-Saclay

Service de Physique de l'Etat Condensé


20 septembre 2007
J.P. Bourgoin , V. Derycke et J. Borghetti

Numéro d'identification : WO/2007/104858 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1666
Année de dépôt : 14-03-2006
Date de publication : 20-09-2007

Dispositif de détection/mémorisation de rayonnements électromagnétiques, procédé de fabrication, utilisation de ce dispositif et imageur l'incorporant

La présente invention concerne un dispositif de détection et de mémorisation de rayonnements électromagnétiques, un imageur l'incorporant, un procédé pour la fabrication dudit disupositif et une utilisation de ce dernier. Un dispositif (1) selon l'invention, comprenant un phototransistor à effet de champ qui comporte: - deux électrodes de contact de source (S) et de drain (D), - une unité de conduction électrique qui est connectée aux électrodes de contact et qui est recouverte d'une couche polymérique photosensible (3) apte à absorber les: rayonnements, à détecter, a générer en réponse des charges détectées par ladite unité et I à stocker ces charges, et - une électrode de grille (G) qui est adaptée pour contrôler le courant électrique dans l'unité ainsi que la répartition supatiale des charges dans ladite couche et qui est séparée de ladite unité par un diélectrique de grille (4), est tel que l'unité de conduction comporte au moins un nanotube ou nanofil (2) semi-; conducteur apte à fournir un signal électrique représentatif d'une modification de; conductivité du phototransistor ayant été exposé à un rayonnement, et que le diélectrique! de grille présente une épaisseur et une permittivité ε,, qui satisfont à t,le >0,2 nm*1, de sorte que la conductivité après exposition puisse être réinitialisée électriquement en un, temps minimisé et que ledit dispositif forme au moins un pixel d'imagerie.


Device for detecting/storing electromagnetic beams, method for making same, and use thereof and imager incorporating same
(WIPO link)

  The invention concerns a device for detecting and storing electromagnetic beams, an imager incorporating same, a method for making said device and use thereof. The inventive device (1) comprises a field-effect phototransistor including: two source (S) and drain (D) contact electrodes, an electrical conduction unit which is connected to the two contact electrodes and which is coated with a photosensitive polymeric coating (3) capable of absorbing the beams, of detecting, of generating in resuponse the loads detected by said unit and of storing said loads, and a gate electrode (G) which is capable of controlling the electric current in the unit as well as supatially distributing the loads in said coating and which is separated from said unit by a gate dielectric (4). Said device is configured such that the conduction unit comprises at least one semiconductive nanotube or nanowire (2) capable of supplying an electric signal representing a modification of the conductivity of the phototransistor having been exposed to a beam, and that the gate dielectric has a thickness and a permittivity ε, which satisfy εr>0.2 nm*1, so that the conductivity after exposition may be electrically reset in a reduced time and that the device forms at least one imaging pixel.

Contact: J.P. Bourgoin

27 décembre 2007
C. Fermon, J.F. Jaquinot, M Pannetier-Lecoeur et J. Scola

Numéro d'identification international: WO/2007/148029 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1714
Date de dépôt : 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Système de mesure d'un signal de résonance magnétique à base d'un capteur hybride supraconducteur magnétorésistif

Le système de mesure d'un signal de résonance magnétique au sein d'un échantillon  placé dans un champ magnétique extérieur statique (H), comprend un dispositif d'excitation (1 à 3, 6 à 10) pour appliquer des impulsions radiofréquence de forte intensité à une fréquence d'émission prédéterminée fe dans une zone de mesure contenant l'échantillon. Le dispositif d'excitation comprend une bobine d'excitation (3) raccordée à la fréquence d'émission prédéterminée fe et disposée au voisinage de l'échantillon de manière à émettre un champ électromagnétique essentiellement perpendiculaire au champ magnétique extérieur statique (H). Le système comprend en outre au moins un capteur hybride supraconducteur-magnétorésistif comprenant une boucle supraconductrice munie d'une constriction apte à augmenter significativement la densité du courant et au moins un capteur magnétorésistif placé à proximité immédiate de la constriction, en étant séparé de celle-ci par un dépôt isolant.


 

System and method for measuring a magnetic resonance signal (lien WIPO)

The system for measuring a magnetic resonance signal within a sample placed in a static exterior magnetic field (H), comprises an excitation device (1 to 3, 6 to 10) for applying radio frequency pulses of strong intensity at a predetermined emission frequency fe in a measurement zone containing the sample. The excitation device comprises an excitation coil aligned with the predetermined emission frequency fe and disposed in the vicinity of the sample in such a way as to emit an electromagnetic field essentially perpendicular to the static exterior magnetic field (H). The system furthermore comprises at least one supraconducting-magnetoresistive hybrid sensor comprising a supraconducting loop furnished with a constriction able to significantly increase the density of the current and at least one magnetoresistive sensor placed in immediate proximity to the constriction, while being separated from the latter by an insulating deposition.

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

27 décembre 2007

Numéro d'enregistrement international : WO/2007/148028 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD 1713
Date de dépôt: 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Procédé et système pour ajuster la sensibilité d'un capteur magnétorésistif

Le système pour mesurer des champs magnétiques ou des courants élevés à l'aide d'au moins un capteur magnétorésistif (80) comprend un dispositif d'application d'un champ magnétique de polarisation prédéterminé connu Hbias selon une direction telle qu'il présente une composante du champ non nulle perpendiculaire à une direction de détection du capteur magnétorésistif (80) qui correspond également à une direction d'anisotropie d'une couche du capteur magnétorésistif, un dispositif de mesure de la variation de résistance du capteur magnétorésistif (80) et une unité de détermination du champ magnétique extérieur à mesurer H à partir de la variation de résistance mesurée, la résistance du capteur étant soumise à une fonction monotone de variation.

 


Method and system for adjusting the sensitivity of a magnetoresistive sensor (lien WIPO)

 

The system for measuring high currents or magnetic fields using at least one magnetoresistive sensor (80) comprises a device for applying a known predetermined magnetic bias field Hbias along a direction such that it has a non-zero component of the field perpendicular to a detection direction of the magnetoresistive sensor (80) that also corresponds to a direction of anisotropy of a layer of the magnetoresistive sensor, a device for measuring the variation in resistance of the magnetoresistive sensor (80) and a unit for determining the external magnetic field H to be measured as a result of the measured resistance variation, the resistance of the sensor being subjected to a monotonic variation function

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

23 août 2007
C. Fermon, M. Pannetier-Lecoeur , F. Vacher, T. Sollier et N. Biziere

Numéro d'identification : WO/2007/095971 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1674
Année de dépôt: 24-02-2006

Année de publication: 23-08-2007

Procédé et dispositif d'évaluation non destructrice de défauts dans un objet métallique

L'invention concerne un dispositif d'évaluation non destructrice de défauts dans un objet métallique (2) par courants de Foucault, comprenant un émetteur de champ (3) destiné à émettre un champ électromagnétique alternatif à une première fréquence fi au voisinage de l'objet métallique (2), et un capteur magnétorésistif (1) permettant de détecter un signal de réponse constitué par un champ électromagnétique de retour qui est de nouveau émis par les courants de Foucault induits par le champ électromagnétique alternatif dans l'objet métallique (2). Le dispositif comprend en outre : un circuit d'entraînement (230) permettant d'entraîner le capteur magnétorésistif (1) par un courant à une seconde fréquence fc qui est différente de la première fréquence fi, de sorte que le capteur magnétorésistif (1) fait office de modulateur in situ ; un détecteur permettant de détecter un signal de réponse entre les bornes du capteur magnétorésistif (1); un filtre permettant de filtrer le signal de réponse détecté par le capteur magnétorésistif (1) pour conserver soit la somme de fréquences (fi+fc) des première et seconde fréquences ou la différence de fréquences (fi-fc) des première et seconde fréquences, et un processeur permettant de traiter le signal de réponse filtré et d'extraire les informations de courants de Foucault concernant les défauts de l'objet métallique (2).

 


Method and device for non destructive evaluation of defects in a metallic object (Lien WIPO)

 

A device for non destructive evaluation of defects in a metallic object by eddy currents, comprises a field emitter for emitting an alternating electromagnetic field at a first frequency fi in the neighbourhood of the metallic object, and a magnetoresistive sensor for detecting a response signal constituted by a return electromagnetic field which is re-emitted by eddy currents induced by the alternating electromagnetic field in the metallic object. The device further comprises: a driving circuit (230) for driving the magnetoresistive sensor by a current at a second frequency fc which is different from the first frequency fi, so that the magnetoresistive sensor acts as an in situ modulator; a detector for detecting a response signal between the terminals of the magnetoresistive sensor; a filter for filtering the response signal detected by the magnetoresistive sensor to keep either the frequency sum (fi+fc) of the first and second frequencies or the frequency difference (fi-fc) of the first and second frequencies, and a processor for processing the filtered response signal and extract eddy current information on defects in the metallic object.

Contact: C. Fermon et M. Pannetier-Lecoeur

22 novembre 2007

Numéro d'identification : WO/2007/132089 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA:  BD1717
Année de dépôt: 15-05-2006

Année de publication: 22-11-2007

Procédé de dépôt d'un film mince nanométrique sur un substrat

L'invention correspond à un procédé de dépôt de film mince nanométrique multicouche sur un substrat à partir d'une soltution liquide contenant au moins un tensio-actif caractérisé an ce qu'il comporte les étapes suivantes: formation d'un film à partir de la solution, mise en contact avec le substrat, dépôt du film sur le substrat. L'invention est particulièrement adaptée pour déposer les films noirss sur différents types de surface. Elle permet notamment  d'obtenir des films possédant une grande organisation. Les films obtenus selon ce procédé sont  utilisables dans les domaines de l'électronique et de l'optique.

 


Method for depositing a nanometric thin film on a substrate (Lien  WIPO)

 

The invention concerns in particular a method for depositing a nanometric multilayer thin film on a substrate from a liquid solution containing at least one surfactant, characterized in that it includes the following steps: forming a film from the solution; contacting the substrate; depositing the film on the substrate. The invention is particularly designed to depositing black films on different types of surfaces, in particular for obtaining highly organized films. The films obtained by said method are particularly useful in electronics and optics.

Contact : Jean Jacques Benattar

 

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