CEA
CNRS
Univ. Paris-Saclay

Service de Physique de l'Etat Condensé


07 décembre 2016
P. Campiglio, B. Cadugan, C. Fermon et R. Lassalle-Balier

Numéro d’identification: WO/2015/105834 (lien WIPO
Numéro d’identification CEA BD 15504               
Année de dépôt : 09.01.2014   
Date de publication : 16-07-2015

Elément magnétorésistif ayant une meilleure réponse aux champs magnétiques
Un élément magnétorésistif présente un agencement de piégeage comprenant deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques, deux couches piégées et une couche libre. Une couche d'espacement entre l'une des deux couches de piégeage antiferromagnétiques et la couche libre présente un matériau sélectionné pour permettre un piégeage partiel régulable par l'une des deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques.


Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields (WIPO Link)

A magnetoresistance element has a pinning arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers. 


Contact: C. Fermon.

04 août 2016
C. Fermon, M. Pannetier-Lecoeur, M.C. Cyrille, C. Dressler et , P. Campiglio

Numéro d’identification: WO/2015/105830 (lien OMPI) 

 

 

 

Numéro d’identification CEA BD 16020                

Année de dépôt : 09.01.2014   

Date de publication : 27.01.2015

  Elément a effet de magnétorésistance a réponse améliorée aux champs magnétiques
  L4invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comportant un agencement à deux broches avec deux couches de brochage anti-ferromagnétiques, deux couches brochées, et une couche libre. Une couche d'écartement entre l'une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques et la couche libre comprend un matériau choisi pour permettre un brochage partiel contrôlable par une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques.


  Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields

  A magnetoresistance element has a double pinned arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.

 

Contact:  M. Pannetier-Lecoeur

04 août 2016
M. Pannetier-Lecoeur, L. Caruso, F. Chavane, S. Roux, V. Trauchessec, F. Matonti

Numéro d’identification :  WO/2016/120557 (lien OMPI)
Numéro d’identification : CEA BD 15891
Année de dépôt : 28.01.2015
Date de publication : 04.08.2016

Dispositif de réhabilitation prothétique de la rétine
Un aspect de l'invention concerne un dispositif (10) de réhabilitation prothétique de la vision comportant : - un explant scléral (11) dont la forme est adaptée pour être au contact d'au moins une partie de la sclère d'un œil, et - au moins un inducteur (12) agencé sur l'expiant scléral (11)..


Device for prosthetic rehabilitation of the retina (WIPO link)

One aspect of the invention relates to a device (10) for prosthetic sight rehabilitation, which includes: a scleral explant (11) with a shape that is suitable for being in contact with at least one portion of the sclera of an eye; and at least one inducer (12) arranged on the scleral explant (11).

Contact:  M. Pannetier-Lecoeur

 

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