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Brevet : Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d'obtention d'une telle couche
Brevet : Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d'obtention d'une telle couche

Illustration schématique d'une installation permettant l'obtention d'une couche mince de nitrure de silicium stoechiométrique Si3N4 conformément à l'invention

Numéro d'identification : WO 2007/003639 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1602
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Substrat en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d'obtention associé

Pour obtenir la couche sur le substrat (1) en présence d'un gaz azoté, le substrat est recouvert d'une couche (2) d'un matériau perméable à ce gaz et la couche de nitrure de silicium est formée à l'interface entre le substrat et la couche du matériau. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.

 


Silicon carbide substrate coated with a thin stoichiometric film of silicon nitride, for making electronic components, and associated process
(WIPO link)

 

The method for obtaining the film on the substrate (1) in the presence of a nitrogen-containing gas, consists in coating a layer (2) of a material permeable to that gas and causing the silicon nitride film to be formed at the interface between the substrate and the material layer. The invention is applicable in particular in microelectronics.

Contact: P. Soukiassian

 

Last update : 03/19 2010 (1419)

 

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