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Brevet : Couche de silicium très sensible a l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche
P. Soukiassian et F. Semond logo_tutelle 
Brevet :  Couche de silicium très sensible a l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

Illustration schématique de la fabrication d'une couche de silicium conformémént à l'invention

Numéro d'identification : WO 2007/003638 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1611
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007

Couche de silicium très sensible a l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche. Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure 3x2. Pour l'obtenir, on peut déposer de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.

 


Highly oxygen-sensitive silicon layer and method for obtaining same
(WIPO link)

 

The invention concerns a highly oxygen-sensitive silicon layer and a method for obtaining same. Said layer (2), formed on a substrate (4) for example made of SiC, has a 3x2 structure. The method for obtaining same consists in depositing silicon substantially uniformly on one surface of the substrate. The invention is applicable for example in microelectronics.

Contact: P. Soukiassian

 

Last update : 03/19 2010 (1417)

 

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