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Patents 2007

25-10-2007
A-J. Attias, F. Charra, L. Douillard, C. Fiorini, D. Kreher, F. Mathevet et G. Schull

Numéro d’identification : WO/2007/118976 (lien WIPO)
Numéro d’identification CEA BD 1669                       
Année de dépôt : 30-03-2006
Date de publication : 25-10-2007

Procédé de traitement d'un fluide a l'aide d'un réseau auto organisé adsorbé sur une surface

L'invention concerne un procédé de traitement d'un fluide. Selon l'invention, le fluide est mis au contact d'un substrat à la surface duquel existe un réseau de molécules organiques, dites "molécules réseau", possédant un noyau central ainsi qu'au moins un bras latéral, lesdites molécules étant adsorbées à la surface du substrat. L’invention concerne également un tamis moléculaire à deux dimensions constitué d'un substrat à la surface duquel est adsorbé un réseau de molécules réseau. L’invention concerne en outre un module de traitement d'un fluide comportant des moyens de circulation du fluide à traiter et renfermant un ou plusieurs tamis moléculaire à deux dimensions.


Method for treating a fluid using a self-organized network adsorbed on a surface
(WIPO link)

The invention concerns a method for treating a fluid. According to the invention, the fluid is contacted with a substrate at the surface of which there is a network of organic molecules, hereafter referred to as "network molecules", having a central core and at least one lateral arm, said molecules being adsorbed at the surface of the substrate. The invention also concerns a two-dimensional molecular sieve consisting of a substrate at the surface of which a network of network molecules is adsorbed. The invention further concerns a module for treating a fluid comprising means for circulating the fluid to be treated and containing one or more two-dimensional molecular sieves.

Contact: F. Charra.

05-07-2007

Numéro d'identification : WO/2007/074228 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 18-12-2005
Date de publication : 05-07-2007 

Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée

La présente invention concerne un substrat semi-conducteur à gap indirect, supérieur au gap du silicium, préférentiellement supérieur à 1,5 eV, son utilisation pour imager un échantillon par microscopie à effet tunnel en émission de photons, ainsi qu'un procédé d'imagerie à effet tunnel en émission de photons utilisant un tel substrat semi-conducteur à gap indirect. Avantageusement, le substrat semi-conducteur à gap indirect est le carbure de silicium. La présente invention concerne également des disupositifs pour la mise en œuvre du procédé d'imagerie selon l'invention.

 


Improved photon-emission scanning tunnel microscopy
(WIPO link)

 

The present invention relates to an indirect-gap semiconductor substrate, the gap being greater than that of silicon and preferably greater than 1.5 eV, to its use for imaging a supecimen by photon-emission scanning tunnel microscopy, and to a photon-emission scanning tunnel imaging method using such an indirect-gap semiconductor substrate. Advantageously, the indirect-gap semiconductor substrate is made of silicon carbide. The present invention also relates to devices for implementing the imaging method according to the invention.  .

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

11-01-2007
P. Soukiassian , M. Silly et F. Charra

Numéro d'identification : WO 2007/003576 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 30-06-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Nanostructures a résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication

Nanostructures à 0, 1, 2 et 3 dimensions, à résistance différentielle négative et procédé de fabrication de ces nanostructures. Une nanostructure conforme à l'invention est notamment utilisable en nano-électronique. Elle comprend une structure (32) à la surface d'un substrat de carbure de silicium (30), la structure étant choisie parmi les plots quantiques, les segments atomiques, les lignes atomiques et les agrégats, et au moins un dépôt de métal (34). Ce dépôt de métal recouvre la structure, ou la combinaison de 2 ou plus des nanostructures à 0, 1, 2 ou 3 dimensions.

 


Nanostructures with negative differential resistance and method for making same
(WIPO link)

 

The invention concerns nanostructures of 0, 1, 2 and 3 dimensions, with negative differential resistance and a method for making said nanostructures. The inventive nanostructure is in particular useful in nano electronics. It comprises at least one structure (32) or at least a plurality of said at least one structure, on the surface of a silicon carbide substrate (30), the structure being selected among quantum connection pads, atomic segments, atomic lines and aggregates, and at least one metal deposit (34), said metal deposit covering at least the structure or at least the plurality of said at least one structure, or the combination o at least two of said structures with 0, 1, 2 or 3 dimensions.

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

22-03-2007
H. Paolacci et T.H. Tran-thi

Numéro d'Identification : WO/2007/031657 (Lien OMPI, fichier PDF asscocié)
Numéro d'identification CEA : BD 1638
Année de dépôt : 15-09-2005
Année de publication : 22-03-2007

Matériau nanoporeux d'aldéhydes à transduction optique directe

Procédé de détection, dosage ou piégeage d'aldéhyde (préférentiellement le formaldéhyde), par mise en contact d'un flux gazeux avec un matériau comprenant une matrice nanoporeuse sol-gel d'oxydes métalliques. Cette matrice contient une molécule sonde portant une fonction réactive avec la fonction aldéhyde. le brevet porte sur le matériau, sa mise en œuvre, son procédé de préparation, et les capteurs intégrant ces matériaux.

 


Nanoporous direct optical transducing material for detecting aldehydes
(lien WIPO)

 

The invention concerns a method for detecting and/or testing and/or capturing at least one type of aldehyde, preferably formaldehyde, consisting in bringing a gas stream into contact with a material comprising a nanoporous metal oxide sol-gel matrix, which contains at least one probe molecule exhibiting at least one reactive function reacting with at least one aldehyde function. A material for carrying out said method, a method for producing the inventive material and sensors integrating said materials are also disclosed.

Contact:  T.H. Tran-Thi

01-02-2007
J. Lessant, V. Simic, S. Fantini, P. Raimond et P. Viel

Numéro d'identification international: WO 2007/012630 (Lien OMPI, Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD
Date de dépôt :26-07-2005
Date de publication/ 01-02-2007

Matériau conducteur ou semi-conducteur modifié par greffage électrochimique de films polymères

La présente invention concerne un matériau conducteur ou semi-conducteur dont la surface est modifiée par une monocouche d'un groupe phényle substitué par un amorceur de polymérisation radicalaire contrôlée quasi-vivante ou par un agent resuponsable du contrôle d'une polymérisation radicalaire, ledit groupe phényle étant lié par une liaison covalente phényle-métal à ladite surface du matériau conducteur ou semi-conducteur et un procédé de fabrication de ce matériau. Elle concerne en outre un matériau conducteur ou semi-conducteur dont la surface est modifiée par la présence d'au moins une couche de polymère fonctionalisé, un procédé de préparation de ce matériau et les utilisations de ce matériau avantageusement dans des microbalances à cristal de quartz.

 


Conductive or semi-conductive material modified by electrochemical grafting of polymer films
(Lien WIPO)

 

The invention concerns a conductive or semi-conductive material whereof the surface is modified by a single layer of a phenyl group substituted by a controlled quasiliving free radical polymerization initiator or by an agent for controlling a free radical polymerization, said phenyl group being bound by a covalent phenyl-metal bond at said surface of the conductive or semi-conductive material and a method for making said material. The invention also concerns a conductive or semi-conductive material whereof the surface is modified by the presence of at least one functionalized polymer layer, and a method for preparing said material and the uses of said material advantageously in quartz crystal microbalances.

Contact: P. Viel

01-11-2007
P. Meininger, C. Gasquet et F. Daviaud

Numéro d'identification: WO/2007/122312 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD1687
Année de dépôt: 19-04-2006

Année de publication : 01-11-2007

Ensemble de distribution d'un matériau granulaire par gravité

Cet ensemble de distribution d'un matériau granulaire comprend un déversoir destiné à recevoir le matériau granulaire et dont un tronçon inférieur est muni d'un orifice inférieur d'évacuation au travers duquel le matériau est destiné à s'écouler par gravité. L'ensemble comprend en outre une tête d'obturation partielle qui est engagée dans le tronçon inférieur et délimite avec celui-ci un espace dans lequel le matériau granulaire est destiné à s'écouler en formant une nappe autour de la tête. Application, par exemple, aux domaines de l'agro-alimentaire, du génie civil, de la mécanique, de la plasturgie, de la pharmacie...

 


Assembly for dispensing a granular material by gravity (lien WIPO)

 

This assembly for dispensing a granular material includes a spillway intended to receive the granular material with a lower section thereof being fitted with a lower outlet through which the material is intended to flow by gravity. The assembly further includes a partial sealing head which is engaged in the lower section and defines therewith a space wherein the granular material is intended to flow by forming a lap around the head. Application, for example, in the fields of food-processing, civil engineering, mechanics, plastics, pharmacy etc.

Contact : F.Daviaud

Référence associée au brevet :
Les matériaux granulaires ne bloquent plus l'entonnoir
CEA Techno(s) n° 84, février 2007

05-07-2007

Numéro d'identification : WO/2007/074228 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 18-12-2005
Date de publication : 05-07-2007 

Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée

La présente invention concerne un substrat semi-conducteur à gap indirect, supérieur au gap du silicium, préférentiellement supérieur à 1,5 eV, son utilisation pour imager un échantillon par microscopie à effet tunnel en émission de photons, ainsi qu'un procédé d'imagerie à effet tunnel en émission de photons utilisant un tel substrat semi-conducteur à gap indirect. Avantageusement, le substrat semi-conducteur à gap indirect est le carbure de silicium. La présente invention concerne également des disupositifs pour la mise en œuvre du procédé d'imagerie selon l'invention.

 


Improved photon-emission scanning tunnel microscopy
(WIPO link)

 

The present invention relates to an indirect-gap semiconductor substrate, the gap being greater than that of silicon and preferably greater than 1.5 eV, to its use for imaging a supecimen by photon-emission scanning tunnel microscopy, and to a photon-emission scanning tunnel imaging method using such an indirect-gap semiconductor substrate. Advantageously, the indirect-gap semiconductor substrate is made of silicon carbide. The present invention also relates to devices for implementing the imaging method according to the invention.  .

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

11-01-2007
P. Soukiassian et F. Semond

Numéro d'identification : WO 2007/003638 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1611
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007

Couche de silicium très sensible a l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche. Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure 3x2. Pour l'obtenir, on peut déposer de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.

 


Highly oxygen-sensitive silicon layer and method for obtaining same
(WIPO link)

 

The invention concerns a highly oxygen-sensitive silicon layer and a method for obtaining same. Said layer (2), formed on a substrate (4) for example made of SiC, has a 3x2 structure. The method for obtaining same consists in depositing silicon substantially uniformly on one surface of the substrate. The invention is applicable for example in microelectronics.

Contact: P. Soukiassian

11-01-2007
P. Soukiassian , M. Silly et F. Charra

Numéro d'identification : WO 2007/003576 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 30-06-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Nanostructures a résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication

Nanostructures à 0, 1, 2 et 3 dimensions, à résistance différentielle négative et procédé de fabrication de ces nanostructures. Une nanostructure conforme à l'invention est notamment utilisable en nano-électronique. Elle comprend une structure (32) à la surface d'un substrat de carbure de silicium (30), la structure étant choisie parmi les plots quantiques, les segments atomiques, les lignes atomiques et les agrégats, et au moins un dépôt de métal (34). Ce dépôt de métal recouvre la structure, ou la combinaison de 2 ou plus des nanostructures à 0, 1, 2 ou 3 dimensions.

 


Nanostructures with negative differential resistance and method for making same
(WIPO link)

 

The invention concerns nanostructures of 0, 1, 2 and 3 dimensions, with negative differential resistance and a method for making said nanostructures. The inventive nanostructure is in particular useful in nano electronics. It comprises at least one structure (32) or at least a plurality of said at least one structure, on the surface of a silicon carbide substrate (30), the structure being selected among quantum connection pads, atomic segments, atomic lines and aggregates, and at least one metal deposit (34), said metal deposit covering at least the structure or at least the plurality of said at least one structure, or the combination o at least two of said structures with 0, 1, 2 or 3 dimensions.

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

 

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