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Univ. Paris-Saclay
Couplages magnétoélectriques dans le système multiferroïque artificiel : BaTiO3 / CoFe2O4
Thomas Aghavnian - SPEC / LNO et SOLEIL
Lundi 03/10/2016, 14:00-17:00
SPEC Amphi Bloch, Bât.774,, Orme des Merisiers

Manuscrit de la thèse.


Résumé :

Les matériaux magnétoélectriques multiferroïques sont particulièrement attrayants dans le domaine de l’électronique de spin, notamment pour la perspective de contrôler l’aimantation d’un matériau à partir d’un champ électrique. Les multiferroïques dits artificiels, constitués de phases ferroélectriques et magnétiques séparées, permettent de contourner la rareté des matériaux multiferroïques intrinsèques. S’ils peuvent présenter des valeurs de couplage plus élevées les mécanismes en jeu sont encore mal compris. Leur compréhension requiert l’étude d’échantillons parfaitement cristallisés et maîtrisés. L’association en films minces (entre 3 et 20 nm) épitaxiés de BaTiO3 , ferroélectrique de référence et de CoFe2O4, ferrimagnétique très magnétostrictif et à haute température de Curie, constitue un système modèle bien adapté à une telle étude.

Dans cette thèse, nous réalisons des films minces de grande qualité cristalline de CoFe2O4/BaTiO3 sur substrat SrTiO3 (001) par épitaxie par jets moléculaires sous plasma d’oxygène atomique. Dans un premier temps, nous étudions indépendamment pour chaque phase les propriétés individuelles de chimie, structure, magnétisme et ferroélectricité, notamment via des techniques de synchrotron.

Forts de cette base, nous mettons en place différentes expériences d’étude du couplage magnétoélectrique direct et indirect, avec l’application d’une polarisation électrique et une mesure d’aimantation, et vice versa. Nous observons l’existence d’un couplage magnétoélectrique, dû entre autres à la forte interaction des couches de CoFe2O4 et BaTiO3. En revanche, les mécanismes indirects dominent, et impliquent des modifications structurales et chimiques via des mouvements ioniques. Ces mécanismes ioniques créent des modifications réversibles de résistance à température ambiante qui ouvrent la voie, au-delà des propriétés multiferroïques, à de possibles applications pour les RAM résistives.

Mos-clés : Magnetoelectric coupling, Thin films, Oxydes, Multiferroics, Synchrotron .


Magnetoelectric coupling in the artificial multiferroic system : BaTiO₃ / CoFe₂O₄

Magnetoelectric multiferroics are of particular interest in the field of spintronics, especially for the possible control of the magnetization using an electric field. The lack of intrinsic multiferroics can be circumvented by using artificial multiferroics, made with individual ferroelectric and magnetic phases. Although they may exhibit higher coupling values, the precise coupling mechanisms involved are still not well understood. Getting insights in the understanding of these phenomena requires studying well mastered and crystallized samples. The combination of BaTiO₃ thin films (3 to 20nm), the prototypical ferroelectric, and of CoFe₂O₄ ones, a highly magnetostrictive ferromagnet with a high Curie temperature, constitutes a suitable model system well suited for such a study. In this thesis, we realized CoFe₂O₄ / BaTiO₃ thin films of high crystalline quality by oxygen plasma assisted molecular beam epitaxy on a SrTiO₃ (001) substrates. First, we study independently for each phase the individual properties of chemistry, structure, magnetism and ferroelectricity, using in particular a range of synchrotron techniques. Based on those fundamental results, we set up direct and indirect magnetoelectric coupling experiments, where we apply an electric polarization to measure a change in magnetization, and vice versa. We manage to observe the magnetoelectric coupling, mainly through the strong interaction of the CoFe₂O₄ and BaTiO₃ films. The indirect mechanisms dominate however and involve structural as well as chemical modifications through ion displacement. Those ion displacements create reversible changes in resistance at room temperature. These results imply that, in addition to the evidenced multiferroic properties, the system makes also promise for resistive RAM devices applications.

Keywords: Magnetoelectric coupling, Thin films, Oxydes, Multiferroics, Synchrotron

Contact : Antoine BARBIER

 

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