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Univ. Paris-Saclay
Brevet : Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche
V. Derycke, G. Dujardin, A. Mayne et P. Soukiassian
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Brevet : Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche

Vue schématique du dessus de la couche de carbone de type diamant conforme à l'invention en cours de formation sur un substrat 2 en SiC

Numéro d'identification : WO/2009/047423 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1259
Année de dépôt : 02-12-1998
Date de publication : 08-06-2000

Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche

Selon l'invention, on forme un substrat monocristallin (2) en SiC terminé par un plan atomique de carbone selon une reconstruction c(2x2) et on effectue au moins un recuit du substrat, apte à transformer ce plan atomique, qui est un plan de dimères C≡C (4) de configuration sp, en un plan de dimères C-C (8) de configuration sp3. Application à la microélectronique, l'optique, l'optoélectronique, la micromécanique et aux biomatériaux.


Large-size monoatomic and monocrystalline layer, made of diamond-type carbon and device for making same
(Lien OMPI)

The invention concerns a method which consists in forming a monocrystalline SiC substrate (2) ending in a carbon atomic plane according to a c(2x2) reconstruction and in at least annealing the substrate, for transforming said atomic plane, which is a plane of C≡C dimers (4) with sup configuration, into a plane of C-C dimers (8) with sup3 configuration. The invention is applicable in microelectronics, optics, optoelectronics, micromechanics and to biological materials.

Contact: P. Soukiassian

 
#1375 - Màj : 23/10/2009

 

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