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Patents 1998

25-06-1998
G. Dujardin, A. Mayne, F. Semondn et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/1998/027578 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1180
Année de dépôt : 16-12-1996
Date de publication : 25-06-1998

Fils atomiques de grande longueur et de gande stabilite, procédé de fabrication de ces fils, application en nano-électronique

Les fils (2) sont formés sur la surface d'un substrat (6) en SiC et sont des chaînes rectilignes de dimères d'un élément choisi parmi Si et C. Pour les obtenir, on forme des couches de l'élément sur la surface et on forme les chaînes par recuit de l'ensemble.

 


Very long and highly stable atomic wires, method for making these wires, application in nano-electronics.
(Lien WIPO)

 

The wires (2) are formed on the surface of a SiC substrate (6) and are rectilinear chains of an element selected from Si and C. The method for obtaining them consists  in: forming layers of the element on the surface and constructing the assembly by repeatedly annealing this surface provided with layers.

 Contact: P. Soukiassian

25-06-1998
G. Dujardin, A. Mayne, F. Semondn et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/1998/027578 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1180
Année de dépôt : 16-12-1996
Date de publication : 25-06-1998

Fils atomiques de grande longueur et de gande stabilite, procédé de fabrication de ces fils, application en nano-électronique

Les fils (2) sont formés sur la surface d'un substrat (6) en SiC et sont des chaînes rectilignes de dimères d'un élément choisi parmi Si et C. Pour les obtenir, on forme des couches de l'élément sur la surface et on forme les chaînes par recuit de l'ensemble.

 


Very long and highly stable atomic wires, method for making these wires, application in nano-electronics.
(Lien WIPO)

 

The wires (2) are formed on the surface of a SiC substrate (6) and are rectilinear chains of an element selected from Si and C. The method for obtaining them consists  in: forming layers of the element on the surface and constructing the assembly by repeatedly annealing this surface provided with layers.

 Contact: P. Soukiassian

 

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