Service de Physique de l'Etat Condensé
Numéro d’identification: WO/2021/053033 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA : BD19517
Année de dépôt : 12-09-2019
Date de publication : 25-03-2021
Un aspect de l'invention concerne un empilement magnétorésistif (1) comprenant : - Une couche de référence (2) comprenant : • Une couche magnétique (21), • Une couche antiferromagnétique (24) en couplage d'échange avec la couche magnétique (21), • Une couche magnétique (22) sensiblement de même aimantation que la couche magnétique (21), • Une couche espaceur (23) entre les couches magnétiques (21, 22) d'épaisseur permettant un couplage antiferromagnétique entre les couches magnétiques (21, 22) d'une première intensité de couplage, - Une couche libre (3) de coercivité inférieure à 10 microTesla, la couche libre (3) comprenant : • Une couche magnétique (32), • Une couche antiferromagnétique (34) en couplage d'échange avec la couche magnétique (32), • Une couche magnétique (31) sensiblement de même aimantation que la couche magnétique (32), • Une couche espaceur (33) entre les couches magnétiques (31, 32) d'épaisseur permettant un couplage antiferromagnétique entre les couches magnétiques d'une deuxième intensité de couplage inférieure à la première intensité de couplage, - Une troisième couche espaceur (4) séparant la couche de référence (2) et la couche libre (3).
Magnetoresistive stack without radiated field, sensor and magnetic mapping system comprising such a stack (WIPO link)
One aspect of the invention relates to a magnetoresistive stack (1) comprising: - a reference layer (2) comprising: • a magnetic layer (21), • an antiferromagnetic layer (24) in exchange coupling with the magnetic layer (21), • a magnetic layer (22) substantially of the same magnetization as the magnetic layer (21), • a spacer layer (23) between the magnetic layers (21, 22) with a thickness for enabling an antiferromagnetic coupling between the magnetic layers (21, 22) of a first coupling intensity, - a free layer (3) having a coercivity of less than 10 microTesla, the free layer (3) comprising: • a magnetic layer (32), • an antiferromagnetic layer (34) in exchange coupling with the magnetic layer (32), • a magnetic layer (31) substantially of the same magnetization as the magnetic layer (32), • a spacer layer (33) between the magnetic layers (31, 32) with a thickness for enabling an antiferromagnetic coupling between the magnetic layers of a second coupling intensity lower than the first coupling intensity, - a third spacer layer (4) separating the reference layer (2) and the free layer (3).
Auteurs : Claude Fermon, Aurélie Solignac, Myriam Pannetier-Lecoeur (SPEC/LNO)
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Institut Rayonnement Matière de Saclay • IRAMIS: Saclay Institute of Matter and Radiation • UMR 3680 - Laboratory of Condensed Matter Physics (SPEC) • UMR 3680 - Service de Physique de l'Etat Condensé (SPEC)
