Numéro d'identification : WO 2007/003638 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1611
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007
Couche de silicium très sensible a l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche
Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche. Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure 3x2. Pour l'obtenir, on peut déposer de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.
Highly oxygen-sensitive silicon layer and method for obtaining same
(WIPO link)
The invention concerns a highly oxygen-sensitive silicon layer and a method for obtaining same. Said layer (2), formed on a substrate (4) for example made of SiC, has a 3x2 structure. The method for obtaining same consists in depositing silicon substantially uniformly on one surface of the substrate. The invention is applicable for example in microelectronics.
Contact: P. Soukiassian
• Institut Rayonnement Matière de Saclay • IRAMIS: Saclay Institute of Matter and Radiation • Laboratory of Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces • Service de Physique et Chimie des Surfaces et des Interfaces
• Laboratory of Nanostructures Studies and Surface Imagery (LENSIS) • Laboratoire d'Etude des NanoStructures et Imagerie de Surface (LENSIS)